特性：
1. 采用碳化硅（SiC）材料
2. 宽频段（UVA+UVB+UVC）
3. 有效探测区域0.2mm2（SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm2，可探测非常弱的辐射）
4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约2600nA电流（10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS约140nA）
5. 芯片高度稳定性（通过德国PTB认证）
关于碳化硅材料（SiC）：
SiC可承受辐射硬度，近乎*的可见盲区，低暗电流，高速响应和低噪音的*属性；这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的使用材料。SiC探测器可以*工作在高达170℃的温度中，信号（响应率）的温度系数也很低，<0.1%/K。由于（fA级别的暗电流）噪音低，很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量，（需要适当的放大器）。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器，提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
技术参数:
型号 | SG01M-18 | SG01M-18S | SG01M-18ISO90 | SG01M-5LENS |
响应率 | 0.13A/W | 0.13A/W | 0.13A/W | 0.13A/W |
波长典型值 | 280nm | 280nm | 280nm | 280nm |
波长范围（S=0.1*Smax） | 221-358nm | 221-358nm | 221-358nm | 221-358nm |
可见盲区（Smax/S>405nm） | >1010 | >1010 | >1010 | >1010 |
有效探测区域 | 0.2mm2 | 0.2mm2 | 0.2mm2 | 0.2mm2（芯片尺寸）11.0mm2(辐射敏感区域) |
暗电流（1V反向偏压） | 0.7fA | 0.7fA | 0.7fA | 0.7fA |
电容 | 50pF | 50pF | 50pF | 50pF |
短路电流（10mW/cm2峰值辐射照度） | 约2600nA | 约2600nA | 约2600nA | （10uW/cm2峰值）约140nA |
温度系数 | <0.1%/K | <0.1%/K | <0.1%/K | <0.1%/K |
操作温度 | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ |
储存温度 | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ | -55～+170℃ |
焊接温度（3S） | 260℃ | 260℃ | 260℃ | 260℃ |
反向电压VRmax | 20V | 20V | 20V | 20V |
物理特性 | 采用T018金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地 | 采用T018金属外壳密封，带小盖帽，1针脚绝缘，1针脚接地 | 采用T018金属外壳密封，2针脚绝缘，1针脚接地 | 内置聚光镜，采用T05金属外壳密封，1针脚绝缘，1针脚接地 |
