当前位置：上海尖丰光电技术有限公司>>太赫兹系统>>SAM半导体可饱和吸收镜1064nm-激光器件

SAM半导体可饱和吸收镜1064nm-激光器件

返回列表页

参考价

面议

具体成交价以合同协议为准

产品型号

品牌

厂商性质经销商

所在地

在线询价收藏产品

联系方式：周美玲查看联系方式

更新时间：2020-09-04 03:16:40浏览次数：96次

联系我时，请告知来自仪表网

产品分类 品牌分类

  太赫兹系统

全部产品列表

暂无信息

上海尖丰光电技术有限公司

经营模式：经销商

商铺产品：403条

所在地区：上海上海市

联系人：周美玲（销售经理）

询价 给他留言

产品简介

品牌:BATOP

详细介绍

SAM半导体可饱和吸收镜 1064nm (Saturable Absorber Mirror 1064 nm)

SAM-saturable absorber mirror for laser mode locking

品牌:BATOP

型号:SAM-1064

关键词:半导体可饱和吸收镜, 可饱和吸收耦合输出镜, 共振可饱和吸收镜, 可饱和噪声去除腔, 可饱和吸收体

BATOP 现已成为用于被动锁模激光器的可饱和吸收体供应商。可饱和吸收产品集合了各式各样的不同的器件，从可饱和吸收镜(SESAM)，到可饱和输出镜(SOC)和用于透过应用的可饱和吸收体(SA)。迄今为止，可饱和吸收产品已经覆盖了800nm到2.6μm的常用激光波长范围。

SAM product list

Wavelength region 790 nm-830 nm: 800 nm

Wavelength region 910 nm-990 nm: 940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm-1150 nm: 1040 nm | 1064 nm | 1100 nm

Wavelength region 1110 nm-1320 nm: 1150 nm | 1300 nm

Wavelength region 1320 nm-1460 nm: 1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm-1660 nm: 1510 nm | 1550 nm | 1645 nm

Wavelength region 1900 nm-3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm

SAM 1064
laser wavelength	λ = 1064 nm
high reflection band (R>99%)	λ = 1020 .. 1110 nm
absorption	A0 = 0.5 - 70 %
relaxation time	τ ~ 500 fs - 27 ps

型号参数：

Part No. help	Delivery time	Description
SAM-1064-0.7-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 0.7 %, Δ R = 0.4 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-1-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 1 %, Δ R = 0.6 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-1.5-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 1.5 %, Δ R = 0.8 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-2-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 2 %, Δ R = 1.2 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-3-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 3 %, Δ R = 1.6 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-3.5-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 3.5 %, Δ R = 2 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-4-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 4 %, Δ R = 2.4 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-5-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 5 %, Δ R = 3 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-6-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 6 %, Δ R = 3.5 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-8-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 8 %, Δ R = 5 %
SAM-1064-10-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 10 %, Δ R = 6 %, τ ~ 1 ps
SAM-1064-13-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 13 %, Δ R = 8 %
SAM-1064-18-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 18 %, Δ R = 10 %, τ ~ 500 fs, antiresonant multi quantum well structure,
SAM-1064-23-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 28 %, Δ R = 15 %, τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure,
SAM-1064-26-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 28 %, Δ R = 13 %, τ ~ 1 ps, resonant multi quantum well structure,
SAM-1064-38-1ps-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 38 %, Δ R = 23 %, τ ~ 1 ps, antiresonant multi quantum well structure,
SAM-1064-70-500fs-x	1 week	SAM: λ = 1064 nm, absorptance 70 %, Δ R = 40 %, τ ~ 500 fs