恒压供水扩散硅压力变送器-压力发生器 返回列表页

物理结构

1.1. 过程密

恒压供水扩散硅压力变送器​设计保证即使传感器膜片损坏或故障时，恒压供水扩散硅压力变送器仍能安全地工作。电子线路侧（室）有两级密封与过程隔离，第三级密封实现了与现场接线端子和导线管入口相隔离。过程密封的设计及其位置使变送器壳体耐压，并防止过程杂质由接线端子侧通过导线管进入。

1.2. 双室结构外壳

恒压供水扩散硅压力变送器​​继承了TSK51系列的设计传统，为双室外壳设计。双室外壳令电子线路与外部环境相隔离，可防止由于环境潮湿或导线管冷凝损坏变送器。一般不要求导线管密封。另外，即使在传感器膜头*损坏时，双室结构也可以保证接线端子及导线管与过程相隔离。

1.3. 传感器膜片

恒压供水扩散硅压力变送器​​将压力传给硅压阻式压力传感器，传感器内充有硅油。对于表压变送器，传感器的参考压力为大气压；对于绝压变送器，传感器的参考压力是一个密封的真空参考源。

过程压力加在传感器的传感膜片上，令膜片产生一个微小变形，这会给予传感器内的惠斯登电桥施加一个应力，使惠斯登电桥产生应变电阻变化，电阻变化被测量,并转换为一个4~20mA直流电流变化被输出。

1.4. 电子线路板模块

电子线路采用ASIC（集成电路）和表面封装技术。电子板接收传感器膜头的经温度补偿的电阻变化信号后，对信号进行修正和线性化，输出一个直流电流信号。