中芯逼近联电半导体

据统计的数据显示，中国在半导体制造市场的份额比例进一步上升，其中作为中国大陆zui大半导体制造代工厂的中芯在前四大半导体制造厂中增速zui快，与中国台湾的联电进一步缩短了差距。

中国半导体制造再进一步，缩短与中国台湾差距

目前前四大代工厂分别是台积电、GF、联电和中芯。回路电阻测试仪台积电凭借着优先优势正在进一步拉开差距，2016年其在半导体代工市场的份额进一步抬升到59%，老大地位无可动摇。

GF在经过几年的停滞后，去年罕有的取得了10%的营收增长，因它从三星购买来14nm FinFET工艺，赢回了部分AMD的订单，*维持在11%。

第三位的联电，前年录得负增长，去年总算勉强取得3%的增长，不过由于其他三家代工厂的营收增速更快导致它的*出现下滑，跌落到9%，位居第三位。

去年zui值得惊讶的是中国大陆的中芯了，回路电阻测试仪其营收录得31%的增长，继前年取得营收高速增长后去年的增速进一步提速，*提升至6%，与联电的营收差距进一步缩窄，这与中国市场的芯片设计企业迅速成长有很大关系，此外也与芯片霸主高通的大力支持有重要关系。

受中国反垄断调查的压力，高通在2015年选择与中芯合作，帮助后者提升工艺制程，同时将部分芯片订单交给后者。在高通的帮助下，中芯的28nm工艺迅速在2015年量产，更在去年成功将工艺改进到28nm HKMG，与联电处于同一水平。

联电眼下14nm FinFET工艺进展缓慢，导致它未能在去年底成功量产，zui终只能在厦门的12寸晶圆厂引入40nm工艺，中国台湾方面要求联电和台积电必须在中国台湾投产优先在大陆建设的晶圆厂一代工艺。

中芯在先进的28nm HKMG开始投入生产后，大陆的芯片设计企业就无需再前往中国台湾，而这一市场自2014年中国推出的集成电路产业基金成立以来芯片设计企业开始日益兴盛，凭借着这种地利优势它的营收于是取得了迅速的增长。

今年和明年中芯的zui大挑战就是其14nm FinFET工艺能否如期投产了。台媒方面指联电将在今年投产期14nm FinFET工艺，回路电阻测试仪这样其厦门工厂应该能在今年引入28nm HKMG工艺与中芯竞争，明年台积电的南京12寸晶圆厂投产预计会引入16nm FinFET工艺。

如果中芯不能在明年顺利投产14nm FinFET工艺，这将给它带来重大挑战，不过早在2015年中它与高通、华为、IMEC等达成合作加快该工艺的研发，近期再获得领导台积电16nm FinFET工艺研发的蒋尚义加盟，更传可能揽得FinFET工艺研发的优先者梁孟松，梁孟松是台积电和三星FinFET工艺的重要功臣。

在中芯的营收迅速增长的同时，其也在加大研发投入，去年其资本开支提高到25亿美元，这是它在该项支出上超过联电，回路电阻测试仪后者去年的资本支出为22亿美元，这也有助于中芯加速其14nm FinFET工艺的研发，因此笔者认为中芯的14nm FinFET工艺明年如期量产的可能性很大。