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LEEG立格DMP305X-TST-H单晶硅高过载压力变送器

时间:2022-7-6阅读:111
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利用传感器外部结构的过载保护设计,能够很好地弥补单晶硅压力传感器自身过载保护设计的不足,不仅容易实现,而且抗过载压力能大幅提高。针对差压传感器和表压传感器及绝压传感器,传感器外部结构过载保护有2种不同的设计方案。


表压传感器以大气压作为参考压力,其测量硅膜片的负腔直接通大气;绝压传感器以绝对真空作为参考压力,其测量硅膜片的负腔为真空封装状态。表压和绝压传感器的外部过载保护设计和差压传感器有所不同


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