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元器件失效分析方法,这次讲清楚了!
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器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。
开车的人都知道,哪里zui能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。
失效分析基本概念
定义:对失效电子元器件进行诊断过程。
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用*的物理、冶金及化学的分析手段。
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、gong能失效等。
4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
失效分析的一般程序
1、收集现场场数据
2、电测并确定失效模式
3、非破坏检查
4、打开封装
5、镜验
6、通电并进行失效定位
7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。
8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。
1、收集现场数据:
应力类型 试验方法 可能出现的主要失效模式
电应力 静电、过电、噪声 MOS器件的栅击穿、双极型器件的pn结击穿、gong率晶体管的二次击穿、CMOS电路的闩锁效应
热应力 高温储存 金属-半导体接触的Al-Si互溶,欧姆接触退化,pn结漏电、Au-Al键合失效
低温应力 低温储存 芯片断裂
低温电应力 低温工作 热载流子注入
高低温应力 高低温循环 芯片断裂、芯片粘接失效
热电应力 高温工作 金属电迁移、欧姆接触退化
机械应力 振动、冲击、加速度 芯片断裂、引线断裂
辐射应力 X射线辐射、中子辐射 电参数变化、软错误、CMOS电路的闩锁效应
气候应力 高湿、盐雾 外引线腐蚀、金属化腐蚀、电参数漂移
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