光束诱导电阻变化OBIRCH

OBIRCH（光束诱导电阻变化）.结论性意见,因此，本项目拟新增1台集成光子分析仪 ，用以满足国军标###方法5003筛选程序规定的筛选项目。光子发射显微镜是一种模块化的设计，它以人性化综合控制系统为中心，实现了简易的操作和非凡的测试精度。在定位IC失效位置方面，以它的简单，避免了由于人员流动产生的技术脱节，节约人员培训成本。随着可靠性测试流程逐步的完善，光子微漏电测试设备也成了*必要项目，如未建立此实验仍需要外协检测，增加了测试成本。此设备几乎重新定义了光子发射显微镜检测法，在国内市场属于技术。建立后可外协其他部门进行实验，实现增值服务。设备的采购是必要、合理的。

OBIRCH（光束诱导电阻变化）

对於故障分析而言，微光显微镜(Emission Microscope, EMMI)是一种相当有用且效率*的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP(Electron Hole Pairs) Recombination会放出光子(Photon)。举例说明：在P-N 结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N然後与P端的空穴（或N端的电子）做 EHP Recombination。中文名

微光显微镜

OBIRCH（光束诱导电阻变化）

侦测得到亮点之情况：

会产生亮点的缺陷 - 漏电结（Junction Leakage）; 接触毛刺（Contact spiking）; （热电子效应）Hot electrons;闩锁效应（ Latch-Up）;氧化层漏电（ Gate oxide defects / Leakage(F-N current)）;多晶硅晶须（

Poly-silicon filaments）; 衬底损伤（Substrate damage）; （物理损伤）Mechanical damage等。

原来就会有的亮点 - Saturated/ Active bipolar transistors; -Saturated MOS/Dynamic CMOS; Forward biased diodes/Reverse；biased diodes(break down) 等。

侦测不到亮点之情况：

不会出现亮点的故障 - 欧姆接触；金属互联短路；表面反型层；硅导电通路等。

亮点被遮蔽之情况 - Buried Junctions及Leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。

OBIRCH（光束诱导电阻变化）

光诱导电阻变化（OBIRCH）模式能快速准确的进行IC中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果金属互联线存在缺陷，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。OBIRCH模式具有高分辨能力，其测试精度可达n*。

PEM（Photo Emission Microscope)

光束诱导电阻变化（OBIRCH）功能与光发射（EMMI）常见集成在一个检测系统，合称PEM（Photo Emission Microscope)，两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。