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深圳市明佳达电子有限公司


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全新电子产品IRFP250N和IRFP260N 晶体三极管

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全新电子产品IRFP250N和IRFP260N 晶体三极管
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厂商性质经销商

所  在  地深圳市

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更新时间：2022-09-29 18:04:25浏览次数：3052次

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深圳市明佳达电子有限公司

经营模式：经销商

商铺产品：75条

所在地区：广东深圳市

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产品简介
产地 进口 加工定制 否

有电子料需求的可直接与我们明佳达电子，本公司专做原装*，价格优势，*不定时更新产品，欢迎随时询价。

详细介绍

供应全新晶体三极管IRFP250N和IRFP260N，明佳达电子现货优势热卖中，欢迎与我们：

IRFP250N详细参数：

FET 类型

N 沟道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

30A（Tc）

驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）

10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值）

123nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs

10V

Vgs（zui大值）

±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值）

2159pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds

25V

FET 功能

-

功率耗散（zui大值）

214W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）

75 毫欧 @ 18A，10V

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247AC

封装/外壳

TO-247-3

IRFP260N规格：

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）

驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值）：234nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs：10V

Vgs（zui大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值）：4057pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds：25V

FET 功能：-

功率耗散（zui大值）：300W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值）：40 毫欧 @ 28A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247AC

封装/外壳：TO-247-3

 

关键词：晶体三极管

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