压阻式压力传感器是使用硅和锗等热电阻半导体质料的压阻效应，即半导体单晶在沿纵向受力时，其电阻率的变革与晶轴偏向所受的应力成正比的原理制成的.压阻式压力传感器的敏捷度取决于半导体质料的种类、晶轴偏向、杂质浓度和温度等.与金属电阻应变式压力传感器相比，压阻式压力传感器的敏捷度要高几十倍，且体积小，机器滞后小;但热稳固性差，当应变较大时其非线性比力严峻。
    半导体应变片有体型、扩散型、薄膜型三种范例，压阻式压力传感器使用的是扩散型半导体应变片.它以硅膜片作为弹性元件，在膜片上用集成电路扩散工艺制成四个等值半导体电阻，构成惠斯登电桥.当膜片受力后，由于半导体的压阻效应，电阻值产生变革，测出电桥的输出信号，即可得到压力的变革值.
    压阻式压力传感器的布局如图3-13所示.硅膜片由0. 1mmN型单晶硅制成，安置在硅环支座上.四个热电偶等值电阻，此中R,,R。位于膜片*位置，感觉正的径向应力;R,,R:位于膜片边沿感觉负的径向应力.
    和金属电阻应变片雷同.扩散到硅膜片上的四个等值电阻，也会因温度影响而引起虚伪的应力输出.并且由于半导体硅和锗的电阻谧度系数为(700^-7000) X 10-6/ C，比金属电阻应变片所用的康铜丝的温度系数大千倍，半导体的敏捷系数也比康铜大几十倍，因此压阻式压力传感器受温度变革的影响会有更大的虚很应力愉出。为相识决多点热电偶压阻式压力传感器的温度赔偿题目，除了四个等值电阻要接玉成桥电路愉出外，还需接纳别的的温度赔偿措施.由于半导体晶体的敏捷系数随温度的上升而降落，因此一种简朴的沮度赔偿措施，是将二极管对称地串接在电源回路上(见图3-14).当温度升高时，半导体敏捷度降落，传感器输出也随之降落;但由于二极管的负温度特性，当温度升高时二极管压降减小，使电桥AB两头供电电压进步，从而使电桥的输出也相应进步，如许即可到达温度赔偿的目标.
    压阻式压力传感器由于敏捷度高、精度高、布局简朴、可微型化，加上热套热电阻固有频率高，可用于高频测里，因此在航空、航天和实行室中得到遍及应用.

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