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半导体α、β、γ表面污染监测仪

来源:常州金坛泰纳仪器厂   2016年12月15日 21:19  

半导体α、β、γ表面污染监测仪 探测α和β射线及γ射线的辐射监测仪表,采用硅半导体探测器。该仪表小巧轻便且探测效率高,且具有自我诊断功能、通信功能、存储等丰富的功能。

仪器特点 半导体α、β、γ表面污染监测仪

  • 采用半导体探测器,不需定期交换探测器,经济实用
  • 可进行量程广且精度高的测量,测量范围为0~99990 min
  • 采用彩色有机EL显示屏,其画面明亮且宽视角,易于目视
  • 测量值和时间可保存1200点
  • 具有自我诊断功能
  • 测量值可通过USB接口存储到计算机

 

技术规范

 

 

测定射线

α射线,β射线,

探测器

硅半导体

有效探测面积

100cm2

显示范围

099990 min-109999000 counts,γ射线:BG99.9mSv/h

探测效率

α射线241Am 20%,β 射线 90Sr-90 30%

时间常数

1310 sec,自动

趋式数据存储

1200 

数据输出

USB 接口

电池寿命

小时以上 ( 无显示)小时以上 ( 连续显示)

    

碱性电池节,镍氢充电电池( 另选)

AC100240 VAC 适配器( 另选)

工作温度

-5  +45 / 23  113?F

工作湿度

 90 %RH 无结露)

   

120(W)×56(H)×293(D) mm4.7(W)×2.2(H)×11.5(D) in

   

 0.75 kg / 1.65 lb. ( 不含电池)

依据标准

IEC60325 (2002)

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