常用半导体材料的特性

来源：金湖天能自动化仪表有限公司 2011年01月14日 10:21

半导体应变片以压阻效应为主，半导体是掺杂的单晶硅、锗、锑化铟等。几种常用半导体材料的特性见表9。5-5。尤其是以单晶硅zui为常见，力作用在单晶硅上，由于压阻效应，单晶硅电阻发生变化，单晶硅电阻的变化量与其所在的晶面位置有关，为提高传感器的灵敏度，应在压阻系数的晶面上制作压敏电阻。常用的晶面有[111]，[110]，[100] 。

表9。5-5

名称		电阻率ρ/Ω.cm	弹性模时E/×10¹¹Pa	灵敏度	晶面
硅	P型	7．8	1．87	175	[111]
硅	N型	11．7	1．23	-132	[100]
锗	P型	15．0	1．55	102	[111]
	N型	16．6	1．55	-157	[111]
	N型	1．5	1．55	-147	[111]
锑化铟	P型	0．54		-45	[100]
	P型	0．01	0．745	30	[111]
	N型	0．013		74．5	[100]

压阻式压力传感器的结构，其核心为一块有四个扩散电阻的单晶硅膜片，用一个圆形环固定，将两个气室隔开，两个气室分别与被测压力相通，膜上布四个扩散电阻，组成一个测量电桥。

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