伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜

来源：上海伯东企业有限公司 2020年10月12日 14:50

传统直接蒸发 HfO₂块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO₂薄膜, 某机构采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO₂薄膜.

客户的样品基底材料为 K9 玻璃, 靶材为 HfO₂块材料, 运行的离子源偏压为 90V.

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:

* 可选: 可调角度的支架

应用结果：

通过使用伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 在偏压为 90V 时, 制造得到的HfO₂ 薄膜晶粒减小, 膜结构更均匀, 缓解了激光能量的局部聚焦, 因此具有较高的损伤阈值.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口品牌的代理商.

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