本征结构无序会显著影响半导体的热输运和电子输运。尽管通常认为是有序化合物，但半Heusler-ZrNiSn表现出无序合金的许多输运特性。与（Zr，Hf）NiSn基固溶体类似，未被取代的ZrNiSn化合物也表现出以合金散射为主的电荷输运。这种意外的电荷输运，即使在通常被认为是*有序的ZrNiSn中，也可以用半Heusler系统中Ni部分填充间隙位来解释。通过改变Sb掺杂量，定量分析了载流子浓度n_H为5.0×10¹⁹～2.3×10²¹cm^-3的ZrNiSn_1-xSb_x中晶体结构的无序和缺陷对电子输运过程的影响。采用LinseisLSR-3系统测量了其Seebeck系数。优化的载流子浓度n_H<3-4×10²⁰cm^-2导致在875K处ZT<0.8。这项工作表明，MNiSn（M=Hf，Zr，Ti）和其他大部分半Heusler热电材料应被认为是高度无序的，尤其是在试图理解电子和声子结构和输运特性时。

与重取代（Zr，Hf）NiSn基固溶体合金相似，未取代ZrNiSn化合物也表现出合金散射主导的电荷输运，μ_H~T^-0.5依赖性表明。这种意外的输运现象可以用Ni部分填充间隙位来解释。分析表明，即使ZrNiSn-half-Heusler合金中存在少量的原子无序，也足以导致合金散射主导的电子输运，这意味着本征点缺陷无序对TE材料中电荷输运的影响具有重要意义。实验和理论计算表明，优化的ZT值接近n_H≈3-4×10²⁰cm^-3。在875K时，ZrNiSn_0.99Sb_0.01的ZT<0.8。这项工作表明，MNiSn和其他大多数半费斯勒热电材料在试图理解电子和声子结构时，应被认为是无序的。