霍尔效应的测量是研究半导体性质的实验法。利用霍尔系数和电导率的测量,用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化,确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数。
本仪器是利用电子和计算机数据采集系统,对霍尔样品在弱场条件下进行变温霍尔系数和电导率的测量,来确定半导体材料的性质。
变温霍尔效应实验仪是由电磁铁、可自动换向稳流源、恒温器、测温控温系统、数据采集及数据处理系统等组成。
产品特点:
1.可用范德堡法测量和标准法测量样品;
2.可手动测量和自动测量;
3.电流自动换向、磁测自动换向,电导和霍尔自动换向;
4.R1和R2自动测量。
规格参数:
电磁铁:0-400mT可调
励磁电源:0-6A可调,可自动换向
稳定性:<±0.1%
数字特斯拉计:0-2000mT,四位半数字显示
恒流源输出:1μA-200mA连续可调
稳定性:±0.1%
数据采集系统霍尔电压测量范围:0-2000mV
数据采集系统霍尔电压分辨率:1uV
测温范围:77-450K
功率范围:200W
供电电源:AC 220V,50Hz
变温霍尔效应测量仪