TEV检测法的理论简介

来源：扬州国浩电气有限公司 2025年05月04日 07:35

高压柜结构

高压柜结构如图所示。其绝缘结构中若存在局部电场较高(场强分布不均匀)，或因制造工艺不完善、运行中绝缘有机物分解、固体绝缘受机械力作用发生开裂等原因形成缺陷，运行中的这些部位就容易出现绝缘击穿、发生局部放电。此外在金属导体(或半导体)电极的尖锐边缘处，或具有不同特性的绝缘层间，也是局部放电容易发生的部位，高压系统组件在运行中由于绝缘介质中气泡或杂质的存在将导致局部场强增大、局部放电发生。这种放电不断蔓延和发展，会引起绝缘的损伤。如任其发展，会导致绝缘丧失介电性能而造成事故。此外，大多数机械破坏也会导致局部放电的产生。

根据麦克斯韦电磁场理论，局部放电现象产生出变化的电场，变化的电场激起磁场，而变化的磁场又会感应出电场。这样，交变的电场与磁场相互激发并向外传播形成电磁波。

为了减小设备尺寸，使得结构更加紧凑，一般在制造中采用了大量的绝缘材料，如环氧浇注的cT, PT、静触头盒、穿墙套管、相间隔板等，如果这些绝缘材料内部存在局部放电，放电电量先聚集在与放电点相邻的接地金属部分，形成电流脉冲并向各个方向传播。对于内部放电，放电电量聚集在接地屏蔽的内表面，因此，如果屏蔽层是连续时，就无法在外部检测到放电信号。但实际上，屏蔽层通常在绝缘部位、垫圈连接处、电缆绝缘终端等部位出现破损而导致不连续，这样高频信号就会传输到设备外层，形成暂态对地电压，简称TEV。

电气设备内部的放电主要有表面放电、内部放电、高压电极的放电、电晕放电等。在放电过程中，由局部放电脉冲产生电磁波(通常是几千赫一几十兆赫)，同时在设备的金属封闭壳体上产生一个瞬时对地电压(TEV)，我们可以通过特制的电容耦合探测器捕捉这个TEV信号(测量方法见图)，从而得出局部放电的幅值和放电脉冲频率。

高压柜局部放电测量方法

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