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可控硅触发器在电镀中的应用

来源:厦门科昊自动化内蒙古分公司   2013年12月13日 09:44  
活塞环的表面电镀一直是使用较多的一种工艺,我厂生产的高频开关电源和分级式可控硅移相触发器在全国各行业电镀中有广泛的应用,针对一些技术问题谈几点注意事项。

1 关于功率因素问题

可控硅移相触发器分级式是9级$11型,这种整流变压器经过分级,可大大提高功率因素,功率因素达到0.93以上。我厂在2002年就成功开发了S11型分级式可控硅恒压恒流整流器KHB3,空载电流三相为1.,这种可控硅恒压恒流整流器KHB3特点是:温升低,噪音小,功率因素高,纹波系数为2%。而高频开关电源是由IGBT铁氧体,逆变电路制成的一种电源,我厂早在1997年就为广西中环公司配套了一台电流为2500A,电压为0~12V的开关电源,当时实际使用中,把开关电源升到电流2300A。电压为10.5V。同时广西中环公司也有我厂4台ZDDKF一2500A0~12V可控硅移相触发器。

其电流电压和开关电源同等条件下,在实际使用了近5个小时,结果明显发现。高频开关电源可比4台2500A可控硅移相触发器节电5%,但开关电源的沉积速度慢,活塞环表面硬度也没有可控硅移相触发器高,开关电源硬度为800~900HB。而用ZDDKF2500A可控硅移相触发器环表面硬度可达11o0HB。后来,广西中环公司还是选用了ZDDKF带分级式节能可控硅恒压恒流整流器KHB3。

开关电源和分级式可控硅恒压恒流整流器KHB3对比,开关电源在2000A12V它的总功率和可控硅移相触发器2000A电流时基本一样的。功率因素差不了多少,耗电量也相等。

2 选择与对比

在同等条件下,高频开关电源比可控硅分级式可控硅恒压恒流整流器KHB3节电5%。但开关电源的电源沉积速度慢,活塞环表面硬度也没有可控硅移相触发器硬度高。国内人士推荐使用可控硅移相触发器,中国台湾创林公司活塞环厂家也在使用可控硅移相触发器,德国活塞环厂家,也是使用可控硅换向可控硅恒压恒流整流器KHB3。德国专家讲使用开关电源电镀工艺一般用在仿金工艺、贵金属、钟表业电镀中。可见对于活塞环电镀应选用可控硅移相触发器。

3 使用换向可控硅恒压恒流整流器KHB3

要想把活塞环表面做好,应该选用换向可控硅恒压恒流整流器KHB3,操作工艺如下:刚开始把工件放到电镀槽里,这时先用反向电流。在几秒内用大电流冲击一下,把活塞环表面的杂质剥离掉,通过15~20秒大电流冲击,活塞环的表面层质量效果提高,再把反向电流回到一定额定值,再工作几秒后,反向电流回零,通过软起动10——20秒后再使用正向电流,这种工艺效果好。在电源整流方面,我厂有丰富的经验,并配有各种产品。我们可以根据行业的生产需要帮助用户科学的设计,合理的使用整流电源,使其、节能、经济的在生产中发挥作用。

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