激光切割分析探针台集成分析探针台和半导体激光修调trimming系统,适合半导体分析切割,失效分析,半导体修调trimming,结构层移除,标记等诸多应用
激光切割分析探针台集成分析探针台和半导体激光修调trimming系统,适合半导体分析切割,失效分析,半导体修调trimming,结构层移除,标记等诸多应用。
激光切割分析探针台配备的激光切割系统还可以激光烧蚀接触导线来改变集成电路上的导体,牺牲层等而不损坏器件内部结构。这种激光修调trimming过程可以选择性移除涂层，为半导体失效分析和研究器件的电阻,电容,RF特性等精调特性。这种激光切割系统还可以隔离失效器件,切除金属引线等。我们还可以根据用户要求提供晶圆失效器件自动识别功能,激光烧蚀功能去除失效器件。
激光切割分析探针台根据用户应用要求可提供电控半自动系统和全自动系统配置.
激光切割分析探针台特点
集成了激光切割功能,可选择性切除材料,涂层,精密切割和金属层标记
激光trimming修调时刻同事用于DC或RF探针应用
可以配备全自动功能,远程控制定位样品台
标配电动样品台100mm x 100mm
多轴操纵杆控制方便操作
激光切割分析探针台可选项目
可根据用户要求配备各种显微镜，偏光显微镜
激光波长可选2-3种
精密XY样品台
青铜抛光或镀金可调的真空夹盘，可配备耐受-100℃~200℃的夹盘
激光切割分析探针台规格参数
适合晶圆大小：100mm （更大尺寸可订制）
电动XY位移台： 行程范围100mm x 100mm， 重复精度1.5um
台板行程：12.7mm 或更大，
台板调整：带有粗调和微调功能
台板平面度：<+/-12.7um @150mm长度
台板刚度： <50um @4.5kg
样品夹盘规格
真空：多区真空
类型：DC或RF
平面度：+/-13um
击穿电压：500V
隔离度：1G欧姆
旋转调整：360度粗调
旋转分辨率：0.01度
显微镜部分
高质量seiwa光学显微镜
行程：100mm x 100mm
定位分辨率：1.5um
物镜数：最多4个
目镜筒数：最多3个
焦距：+/-25mm
照明系统：亮场入射照明
激光器部分
激光器类型：脉冲Nd:YAG激光
激光波长：1064nm, 532nm, 355nm可选
脉宽：3~4ns
脉冲能量： 0.5mJ/0.15mJ @1064nm, 0.5mJ/0.15mJ @532nm, 0.4mJ/0.15mJ @355nm
切割尺寸（单脉冲）
100X物镜（最小） 1064nm: 2um x 2um 532nm: 1um x 1um, 355nm: 1um x 1um
50X物镜（） 1064nm: 50um x 50um 532nm: 40um x 40um, 355nm: 30um x 30um
重复频率：单次，1Hz连续工作， 5Hz释放50个脉冲后需要冷却20秒
系统重量：约为250kg
尺寸：60cm x 74cm x 92cm
