深圳市迈昂科技有限公司
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ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪，凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多年的投入，其采用行业前沿的创新技术，包括消色差补偿器、双旋转补偿器同步控制、穆勒矩阵数据分析等。
一、概述
ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪，凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多年的投入，其采用行业前沿的创新技术，具备 1 全穆勒矩阵测量技术， 2 双旋转补偿器同步控制技术，3 超级消色差补偿器设计技术，4 纳米光栅表征测量技术 等技术。可应用于各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析，代表当今椭偏行业比较高的技术水平。
■ 双旋转补偿器(DRC)配置一次测量全部穆勒矩阵16个元素；
■ 配置自动变角器、五维样件控制平台等优质硬件模块；
■ 软件交互式界面配合辅助向导式设计，易上手、操作便捷；
■ 丰富的数据库和几何结构模型库，保证强大数据分析能力
二、产品特点
■ 采用氘灯和卤素灯复合光源，光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm)；
■ 可实现穆勒矩阵数据处理，测量信息量更大，测量速度快、数据更加精准；
■ 基于双旋转补偿器配置，可一次测量获得全穆勒矩阵的16个元素，相对传统光谱椭偏仪可获取更加丰富全面测量信息；
■ 颐光技术确保在宽光谱范围内，提供优质稳定的各波段光谱；
■ 数百种材料数据库、多种算法模型库，涵盖了目前绝大部分的光电材料；
■ 集成对纳米光栅的分析，可同时测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息；
三、产品应用
■ 半导体薄膜结构：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等；
■ 半导体周期性纳米结构：纳米光栅，套刻误差，T型相变存储器等；
■ 新材料，新物理现象研究：材料光学各向异性，电光效应、弹光效应、声光效应、磁光效应、旋光效应、Kerr效应、Farady效应等；
■ 平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；
■ 光伏太阳能：光伏材料（如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等）反射率，消光系数测量，膜层厚度及表面粗糙度测量等；
■ 功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；
■ 生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理等；
■ 块状材料分析：固体（金属、半导体、介质等）或液体（纯净物或混合物）的折射率n和消光系数k表征，玻璃新品研发和质量控制等。
四、技术规格
| 型号 | ME-L |
| 应用 | 科研级/企业级 |
| 基本功能 | Psi/Delta、R/T、穆勒矩阵等光谱 |
| 分析光谱 | 380-1000nm（支持扩展至193-2500nm） |
| 单次测量时间 | 1-8 s |
| 重复性测量精度 | 0.005nm |
| 精度 （直通测量空气） | 椭偏参数：Ψ= 45±0.05° Δ= 0±0.1° |
| 穆勒矩阵：对角元素 m=1±0.005 | |
| 非对角元素 m=0±0.005 | |
| 折射率重复性精度 | 0.0005 |
| 光斑大小 | 大光斑：2-4mm |
| 微光斑：200μm/100um | |
| 超微光斑：≤50um |
● 重复性精度指标针对100nmSiO2/Si标准样件30次重复性测量；
● 仪器具体技术参数需与实际功能模块、配件有关，表中数据仅供参考
五、可选配置
波段选择
V : 380-1000nm VN :380-1650nm
UV :245-1000nm UN :210-1650nm
UV+ :210-1000nm DN :193-1650nm
DUV :193-1000nm UN+ :210- 2500nm
角度选择
自动 ：45-90°
手动 ：45-90°（5°步进）
固定 ：65°
其它选择
Mapping选择 : 4~12英寸（供参考，按需定制）
温控台: -193~1000℃（供参考，按需定制）
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