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ME-L 穆勒矩阵椭偏仪

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更新时间:2023-08-03 12:06:43浏览次数:350次

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产品简介

ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多年的投入,其采用行业前沿的创新技术,包括消色差补偿器、双旋转补偿器同步控制、穆勒矩阵数据分析等。

详细介绍


一、概述


ME-L 是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了颐光科研团队在椭偏技术多年的投入,其采用行业前沿的创新技术,具备 1  全穆勒矩阵测量技术, 2  双旋转补偿器同步控制技术,3  超级消色差补偿器设计技术,4  纳米光栅表征测量技术   等技术。可应用于各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析,代表当今椭偏行业比较高的技术水平。


■ 双旋转补偿器(DRC)配置一次测量全部穆勒矩阵16个元素;


■ 配置自动变角器、五维样件控制平台等优质硬件模块;


■ 软件交互式界面配合辅助向导式设计,易上手、操作便捷;


■ 丰富的数据库和几何结构模型库,保证强大数据分析能力



二、产品特点


■ 采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm);



■ 可实现穆勒矩阵数据处理,测量信息量更大,测量速度快、数据更加精准;



■ 基于双旋转补偿器配置,可一次测量获得全穆勒矩阵的16个元素,相对传统光谱椭偏仪可获取更加丰富全面测量信息;



■ 颐光技术确保在宽光谱范围内,提供优质稳定的各波段光谱;



■ 数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料;


■ 集成对纳米光栅的分析,可同时测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息;



三、产品应用


■ 半导体薄膜结构:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等;


■ 半导体周期性纳米结构:纳米光栅,套刻误差,T型相变存储器等;


■ 新材料,新物理现象研究:材料光学各向异性,电光效应、弹光效应、声光效应、磁光效应、旋光效应、Kerr效应、Farady效应等;


■ 平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;


■ 光伏太阳能:光伏材料(如Si3N4、Sb2Se3、Sb2S3、CdS等)反射率,消光系数测量,膜层厚度及表面粗糙度测量等;


■ 功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;


■ 生物和化学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理等;


■ 块状材料分析:固体(金属、半导体、介质等)或液体(纯净物或混合物)的折射率n和消光系数k表征,玻璃新品研发和质量控制等。


四、技术规格




型号ME-L
应用科研级/企业级
基本功能Psi/Delta、R/T、穆勒矩阵等光谱
分析光谱380-1000nm(支持扩展至193-2500nm)
单次测量时间1-8 s
重复性测量精度0.005nm
精度
(直通测量空气)
椭偏参数:Ψ= 45±0.05°  Δ= 0±0.1°
穆勒矩阵:对角元素 m=1±0.005
非对角元素 m=0±0.005
折射率重复性精度0.0005
光斑大小大光斑:2-4mm
微光斑:200μm/100um
超微光斑:50um

● 重复性精度指标针对100nmSiO2/Si标准样件30次重复性测量;

● 仪器具体技术参数需与实际功能模块、配件有关,表中数据仅供参考



五、可选配置



波段选择

V : 380-1000nm                     VN :380-1650nm

UV :245-1000nm                    UN :210-1650nm

UV+ :210-1000nm                 DN :193-1650nm

DUV :193-1000nm                 UN+ :210- 2500nm


角度选择

自动 :45-90° 

手动 :45-90°(5°步进) 

固定 :65° 


其它选择 

Mapping选择 : 4~12英寸(供参考,按需定制)

温控台: -193~1000℃(供参考,按需定制)



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