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快恢复二极管是一种由P-I-N结构组成的半导体二极管,通常使用掺金工艺
快恢复二极管是一种由P-I-N结构组成的半导体二极管,通常使用掺金工艺。可分为快恢复二极管和超快恢复二极管,以反向恢复时间100ns为界线。主要用于高频线路的整流和续流使用,应用于开关电源、变频器、PWM脉宽调制器等电路中。 快恢复二极管和整流二极管的技术参数类似,但侧重点却在‘反向恢复时间(TRR)’这个值上,此值越小快恢复二极管的质量越好,在高频电路中表现也越好。 长电二极管,快恢复二极管系列型号参数表:快恢复二极管PDIOVRVFIR封装形式(mW)(mA)(V)(V)(uA)ES0406D1*4154006001.3210SOD-123FFM1013501000501.35FFM10235010001001.35FFM10335010002001.35FFM10435010004001.35FFM10535010006001.35FFM10635010008001.35FFM107350100010001.35RS07K3507008001.1510RS1006D1*.31SOD-123手 机: 王小姐Q Q:电 话::办公地址:东莞市塘厦大道北552号3H创客中心312电子邮箱:goodonecn
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