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摘要与硅相比，氮化镓仍是一种相对较新的半导体材料，有时成本略高一些。尽管如此，其前景十分广阔。Buchstaller预测：“氮化镓材料性能优异，生产过程中，它在半导体晶圆上占用的空间更少。长远来看，它的成本讲降到比硅的成本更低。”西门子免费提供Tapas，它性能数据令人惊...

摘要SINAMICS G120 功率模块 PM 240 带集成式 A 类滤波器 带集成式制动斩波器 380-480V+10/-10% 三相交流 47-63Hz 重过载功率：15kW 当 200% 3S，150% 57S， 240S；环境温度 0 至 +50°C...

摘要 WOODWARD8440-1750 EASYGEN-1500-55Bplc系统所使用的存储器由rom和ram组成，存储容量则随机器的大小变化，大存储能力：一般小型机大存储能力低于6kb，中型机的大存储能力可达64kb，大型机的大存储能力可上兆字节

摘要 WOODHEADSST-DN4-102-2plc系统所使用的存储器由rom和ram组成，存储容量则随机器的大小变化，大存储能力：一般小型机大存储能力低于6kb，中型机的大存储能力可达64kb，大型机的大存储能力可上兆字节

摘要 WOODHEADSST-DN3-PCU-2-E SST-DN3-PCI-2plc系统所使用的存储器由rom和ram组成，存储容量则随机器的大小变化，大存储能力：一般小型机大存储能力低于6kb，中型机的大存储能力可达64kb，大型机的大存储能力可上兆字节

摘要 WOODHEADSST-DN3-PCI-2 DN3-PCI-1-Eplc系统所使用的存储器由rom和ram组成，存储容量则随机器的大小变化，大存储能力：一般小型机大存储能力低于6kb，中型机的大存储能力可达64kb，大型机的大存储能力可上兆字节

摘要 WOODHEADSST-DN3-PCI-2plc系统所使用的存储器由rom和ram组成，存储容量则随机器的大小变化，大存储能力：一般小型机大存储能力低于6kb，中型机的大存储能力可达64kb，大型机的大存储能力可上兆字节

摘要 WOODHEADPCU1000plc系统所使用的存储器由rom和ram组成，存储容量则随机器的大小变化，大存储能力：一般小型机大存储能力低于6kb，中型机的大存储能力可达64kb，大型机的大存储能力可上兆字节

摘要 ICS TRIPLEXT8151C提供罗克韦尔全系列PLC 施耐德Quantum可编程控制器（PLC）产品技术支持，并根据客户需求，提供选型配置、电气控制柜设计.工程设计、系统成套、软件编程、现场调试，可为工厂的自动化产品提供定期质检等。

摘要 ICS TRIPLEXT7150A提供罗克韦尔全系列PLC 施耐德Quantum可编程控制器（PLC）产品技术支持，并根据客户需求，提供选型配置、电气控制柜设计.工程设计、系统成套、软件编程、现场调试，可为工厂的自动化产品提供定期质检等。

摘要 ICS TRIPLEXT3419提供罗克韦尔全系列PLC 施耐德Quantum可编程控制器（PLC）产品技术支持，并根据客户需求，提供选型配置、电气控制柜设计.工程设计、系统成套、软件编程、现场调试，可为工厂的自动化产品提供定期质检等。

摘要 ICS TRIPLEXT3310提供罗克韦尔全系列PLC 施耐德Quantum可编程控制器（PLC）产品技术支持，并根据客户需求，提供选型配置、电气控制柜设计.工程设计、系统成套、软件编程、现场调试，可为工厂的自动化产品提供定期质检等。

摘要 ICS TRIPLEXT9802 提供罗克韦尔全系列PLC 施耐德Quantum可编程控制器（PLC）产品技术支持，并根据客户需求，提供选型配置、电气控制柜设计.工程设计、系统成套、软件编程、现场调试，可为工厂的自动化产品提供定期质检等。

摘要 ICS TRIPLEXT9852提供罗克韦尔全系列PLC 施耐德Quantum可编程控制器（PLC）产品技术支持，并根据客户需求，提供选型配置、电气控制柜设计.工程设计、系统成套、软件编程、现场调试，可为工厂的自动化产品提供定期质检等。

摘要 ROSOFTMVI56-ADM余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 PARKERHSSI-ED2余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 ORMECSAC-SW210/E余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 OPTO 22SNAP-AIV-8余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 OPTO 22SNAP-AIV余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 OPTO 22001818K AC24 AT余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 OMRONE5AK-AA2余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 NTNK-ECA46余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 NISSEIBS1-N018余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 NIKON4S018-713-1 NSR-S306C余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 NIKKINA50-40NAMKNN-CE余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 NEXCOMPEAK760VL2 4BP00760D1X0余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 NETZTEIL DELTAE77-519-0300余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 MYKROLISCMX45余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 M2IXTOP07TW-UD余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 LINMOTS01-72/600余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 LEUZEIFRK 93/4-100 L.2余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 LAUERPCS 810-1余容错控制系统、基于三重模件冗余（TMR）结构的现代化的容错控制器并列运行的冗余方式避免了卡件切换时可能引起的扰动，实现了真正意义的“热插拔“。低密度的I/O模件使得卡件故障的风险进一步分散。

摘要 GEIS200TRPGH2B高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIS200TGENH1A高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIS200EPDMG1B高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIS200DSPXH1D高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIS200BICLH1AED高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIC697MDL653高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIC697MDL250高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIC697CHS750高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIC697BEM711高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIC697ALG230高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIC695PBM300高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出拥有将现存的系列90-30I/O松升级的串行背板PIII300mHzde CPUhe 10M内存及新PM1.0GHz和64M内存的处理器，支持高级编程和高性能

摘要 GEIC660BBD025高速处理器和专门技术使得从输入到到输出的时间更快，避免了所谓的信息瓶颈每个模块卡槽都有双重背板总线支持：高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出

摘要 GEF31X134EPRBEG1 FR00/0高速处理器和专门技术使得从输入到到输出的时间更快，避免了所谓的信息瓶颈每个模块卡槽都有双重背板总线支持：高速度.基于PCI，提供全新的改进版I/O决速产出