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仪表网>产品库>专用仪表>其它行业>电子/半导体检测仪器>大功率IGBT静态参数测试-电子/半导体检测仪器
  • 大功率IGBT静态参数测试-电子/半导体检测仪器

EN-3020C 大功率IGBT静态参数测试-电子/半导体检测仪器

参考价
面议
具体成交价以合同协议为准
  • 型号EN-3020C
  • 品牌
  • 所在地西安市
  • 更新时间2018-05-22
  • 厂商性质生产厂家
  • 入驻年限1
  • 实名认证已认证
  • 产品数量15
  • 人气值510
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         西安谊邦电子科技有限公司为国家*产业园、西安市政府重点支持的*。主要从事半导体分立器件测试仪的研发、生产与销售等业务。公司主要技术人员均来自航天、航空及半导体技术研究所,具有丰富的专业技术知识和多年测试产品研发经验。      
        公司于2007年引进*进半导体测试技术,研制生产了YB6000系列半导体分立器件测试仪,该测试仪有功率大、速度快、精度高、测试种类全等技术特点,各项技术指标均达到*水平。
       YB6000系列半导体分立器件测试仪主要应用于*、汽车、飞机、船舶制造、能源等领域。   
   
西安谊邦电子科技凭借较强的技术实力和完善的科学管理,能够给用户提供完善的售前售后
       科技创新、服务无限,是我们工作的宗旨。

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产地国产 加工定制
EN—3020C测试系统(以下简称系统)是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统,该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。
系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试,是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。
系统标准功率源为3500V/200A,电流zui大可扩展至2000A。
系统的自动化程度
大功率IGBT静态参数测试-电子/半导体检测仪器 产品详情

EN-3020C IGBT静态参数测试系统

1系统概述

EN3020C测试系统(以下简称系统)是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统,该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。

系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统

系统标准功率源为3500V/200A,电流zui大可扩展至2000A。

系统的自动化程度高按照操作人员设定的程序自动工作实现全自动化的智能测试,计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储测试方法灵活可*测试器件以及单个单元和多单元的模块测试

系统采用品牌工控机,具有抗电磁*力强,排风量大等特点

系统安全稳定PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁

 

EN-3020C测试系统中控制系统主要由计算机控制系统和PLC控制系统组成

计算机控制系统

计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元,设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态,数据采集等均由计算机完成。计算机

采用研华工业控制机,具有抗电磁*力强,排风量大等特点。

计算机中,装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块,NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡,具有三组数据端口,16/8个

模拟量输入端口,两个模拟量输出口、两个定时器计数器。

PLC控制系统

控制系统除工控机外,还采用了欧姆龙系列的PLC,PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制,并且与计算机进行通讯,完成了整个系

统的自动控制功能;PLC不仅控制开关的动作,而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控,并与硬件进行互锁,实现了可靠的安全控制功能。

 

2、测试范围

EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数其测试范围如下:

1栅极-发射极漏电流测试                     VGES、IGES

2栅极-发射极阈值电压测试                   Vge(th)

3集电极-发射极电压测试测试                 VCES、ICES

4集电极-发射极饱和电压测试测试             Vge(sat)、IC

5二极管压降测试测试                        VF、IF

6二极管反向zui大可恢复直流电压测试          VR、IR

 

3外形尺寸和电源要求

寸:800×800×1800(mm)

量:210kg

环境温度:15~40℃

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

电网频率:50Hz±1Hz

通信接口: USB RS232

系统功耗: 380W

 

4、参数/条件

参数/条件

 

 

 

 

 

 

参  数

 

 

ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT

 

 

 

静态参数自动测试系统

静态参数手动测试系统

 

条  件

 

 

①栅极-发射极漏电流IGES

 

 

 

 

 

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

 

 

 

 

 

集电极电压VCE: 0V

 

 

 

 

 

栅 极 电 压 VGE: 20V ±3%±0.2V

 

 

 

 

 

②集电极-发射极电压BVCES

 

 

 

 

 

集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配)

 

 

 

 

 

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

100-3500V±5%±10V

100-3000V±5%±10V

栅 极 电 压 VGE: 0V

 

 

 

 

 

③集电极发射极饱和电压VCESAT

 

 

 

 

 

VCESAT:0.1-10V

 

 

 

 

 

栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V

 

 

 

 

 

集电极电流ICE: 10-200A±5%(选配)

 

 

10-200A±5%

10-200A±5%

④集电极-发射极截止电流ICES

 

 

 

 

 

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

 

100-3500V±5%

100-3000V±5%

集电极电压VCE: 100-3500V±5%(选配)

 

 

 

 

 

栅 极 电 压V G E : 0V

 

 

 

 

 

⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH

 

 

 

 

 

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

 

 

 

 

 

VGE=VCE

 

 

 

 

 

集电极电流ICE: 30mA±3%

 

 

 

 

 

⑥二极管压降测试VF

 

 

 

 

 

VF: 0.1-5V±3%±0.01V

 

 

 

 

 

栅极电压VGE: 0V

 

 

 

 

 

流  I F : 10-200A±5%(选配)

 

 

10-200A±5%

10-200A±5%

导通电流  IC: 10-200A±5%

 

 

 

 

 

栅极电压VGE:±15V±0.2V

 

 

 

 

 

 

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