原子层沉积系统是一种用于化学、材料科学领域的工艺试验仪器。技术指标反应腔腔壁加热温度应不低于300℃;反应腔能够适应在8英寸及以下尺寸平面基底上沉积薄膜材料且对基底形状没有严格要求,基底加热温度可达500℃。主要功能具有热ALD沉积氧化物、氮化物、贵金属等薄膜材料的功能;具备未来等离子体增强ALD、Loadlock单元扩展功能。应用原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型(厚度、成份和结构)原子层沉积(AtomicLayerDeposition,ALD),最初称为原子层外延(AtomicLayerEpitaxy,ALE),也称为原子层化学气
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