测试功能 | |||||
测试器件 | 测试功能 | ||||
IGBT | 瞬态阻抗(Thermal Impedance) 从开始加热到结温达到稳定这一过程中的瞬态阻抗数据。 | ||||
MOSFET | |||||
二极管 | 稳态热阻(Thermal Resistance) 包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl, 当器件在给一定的工作电流后。热量不断向外扩散，达到了热平衡，得到的结果是稳态热阻值。在没有达到热平衡之前测试到的是热阻抗。 | ||||
三极管 | |||||
可控硅 | |||||
线形调压器 | 装片质量的分析 主要测试器件的粘接处的热阻抗值，如果有粘接层有气孔，那么传热就要受阻，这样将导致芯片的温度上升，因此这个功能够衡量粘接工艺的稳定性。 | ||||
LED | |||||
MESFET | |||||
IC | 可以得到用不同占空比方波测试时的阻抗与热阻值。 | ||||
| 内部封装结构与其散热能力的相关性分析 | ||||
| 多晶片器件的测试 | ||||
| SOA Test | ||||
| 浪涌测试 | ||||
配置 / 系统单元 | |||||
配置 | 组成单元 | ||||
项目 | 配置 | 主机 | 平台软件 | ||
功率 | 2A/10V | 采样单元 | 测量控制软件 | ||
测试延迟时间 （启动时间） | 1us | 数控单元 | 结果分析软件 | ||
采样率 | 1us | 功率驱动单元 | 建模软件 | ||
测试通道数 | 2（大 8 个） | 测试通道1-8个 |
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功率放大器 | 提高驱动能力10~100 倍 | 扩展选件 |
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电性规格 | 系统特征 | ||||
加热 电流 测量 精度
| 低电流 测量 | 02A 系统: ±1mA 10A 系统: ±5mA 20A 系统: (±10mA) | ●测试启动时间仅为 1 s，几分钟之内就 可以得到器件的全面热特性； | ||
●*的静态实时测量方法，采样间隔快可达 1 s， 采样点高达 65000 个，有效地保证了数据的准确性和完备性； | |||||
高电流 测量 | 02A 系统: ±4mA 10A 系统: ±20mA 20A 系统: (±40mA) | ||||
●市场上的灵敏度 FoM=10000 W/℃，很高的灵 敏度 SNR>4000， 结温测试精度高达 0.01℃； | |||||
加热电压测量精度 | ±0.25% ， | ||||
0~50V 热电偶 测量精度( T 型) | 典型 ±0.1°C , 大±0.3°C | ||||
●强大的测试软件和数据分析软件保证了后期扩展功能的提升。 | |||||
交流电压 | 220VAC，5A，50/60Hz | ||||
电压 | （标配）50V | ||||
电流 | （标配）20A （选配）200A,400A,800A,1000A |
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节温感应电流 | 1mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA(标配) |
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测试原理
根据IEDEC静态测量原理，改变器件输入功率，使器件温度发生变化，在达到热平衡之前，ENR0620以1uS的高速采样率实时记录温度随着时间变化的瞬态响应曲线；在得到温度响应后，根据R_thiA=T / P 计算稳态热阻；将上述瞬态响应转换为结构函数形式，方便用户分析器件热流传导路径上的各层结构。系统未采用“脉冲方法”。因为“脉冲方法”采用延时测量技术，限制了测量精度，且“脉冲方法”在测量瞬态温度响应市应非实时记录数据。而是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程，测试结果的精确性无法保证。
