国华低温等离子处理设备增加结合力和稳定性：
原理是正离子和电子密度大致相等的电离气体。由离子、电子、自由激进分子、光子以及中性粒子组成，是物质的第四态。人们普遍认为的物质有三态：固态、液态、气态。区分这三种状态是靠物质中所含能量的多少。给气态物质更多的能量，比如加热，将会形成等离子体，在宇宙中99.99％的物质处于等离子状态。
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1.1 等离子表面处理设备清洗原理：通过化学或物理作用对工件表面进行处理，实现分子水平的污染物去除（一般厚度为3～30nm），从而提高工件表面活性。被清除的污染物可能为有机物、环氧树脂、光刻胶、氧化物、微颗粒污染物等。对应不同的污染物，应采用不同的清洗工艺，根据选择的工艺气体不同，等离子清洗分为化学清洗、物理清洗及物理化学清洗。
化学清洗:表面反应以化学反应为主的等离子体清洗，又称PE。
例1：O2＋e－→ 2O※ +e－ O※＋有机物→CO2+H2O
从反应式可见，氧等离子体通过化学反应可使非挥发性有机物变成易挥发的H2O和CO2。
例2：H2+e-→2H※+e- H※+非挥发性金属氧化物→金属＋H2O
从反应式可见，氢等离子体通过化学反应可以去除金属表面氧化层，清洁金属表面。
物理清洗：表面反应以物理反应为主的等离子体清洗，也叫溅射腐蚀（SPE）。
例：Ar＋e-→Ar++2e- Ar++沾污→挥发性沾污
Ar+在自偏压或外加偏压作用下被加速产生动能，然后轰击在放在负电极上的被清洗工件表面，一般用于去除氧化物、环氧树脂溢出或是微颗粒污染物，同时进行表面能活化。
物理化学清洗：等离子设备表面反应中物理反应与化学反应均起重要作用。
1.2 等离子清洗设备
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等离子清洗设备的原理是在真空状态下，压力越来越小，分子间间距越来越大，分子间力越来越小，利用等离子射频源产生的高压交变电场将氧、氩、氢等工艺气体震荡成具有高反应活性或高能量的等离子，然后与有机污染物及微颗粒污染物反应或碰撞形成挥发性物质，然后由工作气体流及真空泵将这些挥发性物质清除出去，从而达到表面清洁活化的目的。使用等离子是清洗方法中为*的剥离式清洗，其大优势在于清洗后无废液，大特点是对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料等都能很好地处理，可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。
1.3 等离子清洗设备在微电子封装领域
采用引线框架的塑封形式，仍占主流，其主要采用导热性、导电性、加工性能良好的铜合金材料作爲引线框架，铜的氧物与其它一些有机污染物会造成密封模塑与铜引线框架的分层，造成封装后密封性能变差与慢性渗气现象，同时也会影响芯片的粘接和引键合质量，确保引线框架的超洁淨是保证封装可靠性与良率的关键，经国华等离子体处理可达到引线框架表面超淨化和活化的效果，成品良率比传统的湿法清洗会*的提高。
1.4 LED的发光原理及基本结构
发光原理：LED（light emitting diode），发光二极管，是一种固态的半导体发光器件，它可以直接把电转化为光，其核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结，因此它具有一般pn结的I-N特性，即正向导通、反向截至及击穿特性，在一定条件下，它还具有发光特性。正向电压下，这些半导体材料的pn结中，电流从LED阳极流向阴极，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来。半导体晶体可以发出从紫外到红外不同颜色的光线， 其波长和颜色由组成pn结的半导体物料的禁带能量所决定，而光的强弱则与电流有关。
基本结构：简单来说，LED可以看作是将一块电致发光的半导体材料芯片，通过引线键合后四周用环氧树脂密封。
