昆山国华电子告诉您光刻胶原理：
中国的微电子和平板显示产业发展迅速，带动了光刻胶材料与高纯试剂供应商等产业链中的相关配套企业的建立和发展。特别是2009年的LED的迅猛发展，更加有力的推动了光刻胶产业的发展。中国的光刻胶产业市场在原有分立器件、IC/LCD的基础上，又加入了LED，再加上光伏的潜在市场。
昆山国华电子告诉您光刻胶原理
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的*肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子业。
按照应用领域，光刻胶有以下四个应用领域：
①印制线路板（PCB）光刻胶
② 液晶显示屏（LCD）光刻胶
③ 有机发光二极管（OLED）光刻胶
④ 半导体晶圆加工刻蚀用光刻胶
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型：光刻胶技术。该技术的引入，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。
在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中重要的工艺，决定着芯片的小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%。光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。
半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求，不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率，从而达到集成电路更高密度的积。
昆山国华电子告诉您光刻胶原理：
目前，半导体光刻胶按照硅晶圆加工工艺可分为三类：
① 6寸硅晶圆工艺用：主要包括i-line和g-line光阻材料
② 8寸硅晶圆工艺用：主要包括i-line和KrF光阻材料
③ 12寸硅晶圆工艺用：主要包括ArF光阻材料
光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。
我们昆山国华电子也在为半导体行业做后盾：引线键合打线：集成电路引线键合的质量对微电子器件的可靠性有决定性影响，键合区必须无污染物并具有良好的键合特性。污染物的存在，如氧化物、有机残渣等都会严重削弱引线键合的拉力值。传统的湿法清洗对键合区的污染物去除不*或者不能去除，而采用等离子体清洗能有效去除键合区的表面沾污并使其表面活化，能明显提高引线的键合拉力，*的提高封装器件的可靠性
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