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KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国* KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数
型号 | eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
供电 | DC magnetic confinement |
- 电压 | 40-300V VDC |
- 离子源直径 | ~ 5 cm |
- 阳极结构 | 模块化 |
电源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
- 阳极 | 标准或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移动或快接法兰 |
- 高度 | 4.0' |
- 直径 | 5.7' |
- 加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
- 工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安装距离 | 16-45” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洗 Load lock preclean
• 预清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
霍尔离子源 Gridless 提供高电流低能量 end-Hall 系列产品, 包含宽束霍尔离子源和电源控制器, 整体设计, 易于系统集成, 霍尔离子源典型应用: 辅助镀膜 IABD, 镀膜预清洁 ISSP, 离子蚀刻等
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产
考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
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上海伯东 : 罗先生
