ANS305-DP 单晶硅差压变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压
力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，
玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线
路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负
荷，同时具备较强的抗电磁*力，适合苛刻的流程工业环境中压力、
液位或流量测量应用。
主要参数测量介质产品概述 ANS305-DP 单晶硅差压变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的抗电磁*力，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。技术参数标称量程 6kPa 40kPa 250kPa 1MPa 3MPa 10MPa最小量程 200Pa 400Pa 2.5kPa 10kPa 30kPa 100kPa量程下限(URL） 6kPa 40kPa 250kPa 1MPa 3MPa 10MPa* 静压范围 25MPa 40MPa 40MPa 40MPa 40MPa 40MPa*单项高压端过载 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa 25MPa*单项低压端过载 16MPa 16MPa 16MPa 16MPa 3MPa** 3MPa**设置高、低限值要求：低限值（LRL ）与高限值（URL ）在量程上下限范围内取值，当 |URL ￨≥ |LRL ￨时，须满足 |URL ￨≥最小量程；当 |URL ￨≤ |LRL ￨时，须满足 |LRL ￨≥最小量程 * 过压限定值：取决于承压能力最弱部件的压力值，此过载压力为传感器所能承受的大压力，而非产品本身所能承受的大压力。 ** 如果加压 3MPa 以上，会对传感器造成损坏压力类型 差压量程范围 200Pa~10MPa，详见选型表输出信号 4-20mA、4-20mA+HART、Modbus RTU RS485 - / 及其它参考精度 ±0.075% 量 程 上 限， 可 选 ±0.05%量程上限，详见规格参数与接触材质兼容的流体应用场合压力、液位、差压、密度、界面、流量性能测试标准及基准条件性能测试 测试标准：GB/T28474/IEC60770；基准条件：从零点开始的量程；硅油充液，316L 不锈钢隔离膜片，4-20mA 模拟输出，端基微调至设定值 总体性能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、【静压影响 】、和其它影响的综合误差 典型精度： ±0.075% 量程上限 年稳定性：±0.2%SPAN/5 年
