ANS305-DST单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现
机械隔离和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的
能力，可应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的电磁*，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。
主要参数 应用场合测量介质压力类型 差压量程范围 10kPa - 1MPa，详见选型表输出信号 4-20mA、4-20mA+HART、ModbusRTU/RS485及其它参考精度 ±0.2%量程上限，大±0.5%量程上限，详见规格参数与接触材质兼容的流体压力、液位、差压、密度、界面、流量。
规格参数标称量程 最小量程 量程下限（LRL） 量程上限（URL） 静压范围* 单向高压端过载* 单向低压端过载*40kPa 4kPa -40kPa 40kPa 40MPa 25MPa 16MPa250kPa 25kPa -250kPa 250kPa 40MPa 25MPa 500kPa1MPa 100kPa -500kPa 1MPa 40MPa 25MPa 500kPa设置高、低限值要求：低限值（LRV）与高限值（URV）在量程上下限范围内取值，当｜URV｜≥｜LRV｜时，须满足｜URV｜≥最小量程；当｜URV｜≤｜LRV｜时，须满足｜LRV｜≥最小量程*过压限定值：取决于承压能力最弱部件的压力值，此过载压力为传感器所能承受的大压力，而非产品本身所能承受的大压力量程及范围极限测试标准：GB/T28474/IEC60770；基准条件：从零点开始的量程；硅油充液，316L不锈钢隔离膜片，4-20mA模拟输出，端基微调至设定值性能测试标准及基准条件总体性能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、【静压影响 】、和其它影响的综合误差典型精度：±0.2%量程上限年稳定性：±0.2%量程上限/5年性能指标参考精度在-20-80℃范围内总影响量 ±（0.1+0.1TD）%量程上限环境温度影响静压影响零点影响 ±0.15TD%量程上限/4MPa满量程影响 ±0.2%量程上限/4MPa当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化， 其零点和量程的变化应不超过 ±0.005%量程上限/V电源影响任意位置安装，大不超过400Pa可通过清零功能校正按GB/T1827.3/IEC61298-3测试，＜0.1%量程上限安装位置影响振动影响输出信号依据标准和测试基准条件，包括线性（BFSL）、迟滞、重复性。校准温度：20℃±5℃线性输出精度TD≤10（注1） ±0.2%量程上限 标称量程40kPa、250kPa 、1MPa、大值 ±0.5%量程上限平方根输出精度为以上线性参考精度的1.5倍注1：TD（Turn down）是指量程比，当｜URV｜≥｜LRV｜时，TD=URL/｜URV｜当｜URV｜≤｜LRV｜时，TD=URL/｜LRV｜ 信号 类型 输出方式4-20mA 线性 二线制4-20mA+HART 线性 二线制Modbus-RTU/RS485 线性 四线制
