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Horiba射频辉光放电光谱仪GD-Profiler 2

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  • 更新时间2022-10-02
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现在,大多数的材料都是多层结构,比如太阳能光伏电池、LED、硬盘、锂电池电极、镀层玻璃等
Horiba射频辉光放电光谱仪GD-Profiler 2 产品详情

现在,大多数的材料都是多层结构,比如太阳能光伏电池、LED、硬盘、锂电池电极、镀层玻璃等。它们表面经过特殊处理或采用了镀层来改善材料性能,如提高耐腐蚀能力。

脉冲式射频辉光放电光谱仪是一款用于镀层材料研究、过程加工和控制的理想分析工具。它可对薄/厚膜、导体/非导体进行超快速元素深度剖析,并且对所有的元素都有高的灵敏度。

顾名思义,该技术结合了脉冲式射频供电的辉光放电源和高灵敏度的发射光谱仪。前者具有高深度分辨率,可对样品分析区域进行一层层剥蚀;后者可助您实时监测所有感兴趣的元素。

GD-Profiler 2的射频辉光放电光源设计,使其既可以测试导体、非导体及导体/非导体相间的镀层样品;既可以实现表面、深度剖析,也可实现基体成分分析。

国际认可技术

辉光放电光谱技术在材料科学领域展现了强大的活力,如ISO/TC 201已为表面分析发布3GDS国际标准;市面上已出版了5本相关参考书,并且每年发表60篇以上含有GDS数据的科技论文。

快速、高深度分辨率

脉冲式射频辉光放电光谱仪典型的剥蚀速率为微米/分钟(即:2-10nm/s),可快速测试多个样本,反馈及时。该特点使其可用于优化和控制蒸发的每个阶段(沉积或退火过程),并快速应对任何观察到的变化。的脉冲式射频辉光源和超快速检测能力的光学系统,使脉冲式射频辉光放电光谱仪具有了纳米级甚至亚纳米级的深度分辨率。

适用于所有元素

高灵敏度和超快速光学检测系统使其可以同时检测所有感兴趣元素的深度分布;发射谱线范围从VUVH和同位素D的谱线在120nm附近,O130nm等)到IR的锂(670nm)和钾(766nm)。

/厚膜的定量深度剖析

表面灵敏技术(XPSSIMS)分析速度很慢并且仅能分析1微米以内的镀层。对于较厚的镀层,虽然可以使用SEM EDX测试横截面,但需要繁复的样品制备而且不能测试轻元素。脉冲式射频辉光放电光谱可快速溅射十几微米以测试所有元素,薄/厚膜均适用。

具备性能的脉冲式射频源结合发射光谱仪可使基体效应最小化。通过标准曲线,可将测试所得的定性曲线(强度vs.时间)转化为定量深度曲线(浓度vs.深度)非常方便。


    特点:

● 分析时间短,比需要超高真空环境的经典表面分析技术快1000倍。

● 非导体非常容易分析,无表面电荷效应。

● 同时测定所有元素,包括HCNOFLi等。

● 纳米级深度分辨率。

● GDS可与那些提供成像、横向分辨率或分子信息的技术互补分析。


     
标准配置:

激发源:频率为13.56MHz的射频水冷式固态发生器,可以在RF、脉冲RF或是VDC下运行

功率:150W

光谱范围:120nm ~ 800nm

光谱仪恒温系统:(31±0.1℃);焦长0.5m2400gr/mm光栅

光谱分辨率:18pm~25pm

深度分辨率:1nm

元素通道:47

检测器线性动态范围:5×109

真空泵真空度可达:5×10E-4

软件:Quantum

计算机:Windows 7, Dell 1070 MT (根据计算机水平更新)


     可选配置:

单色仪:焦长0.64m2400gr/mm160nm~800nm)或3600gr/mm160nm~560nm

平场多色仪:焦长0.2m1200gr/mm光栅

铜阳极:标准直径为4mm1mm2mm7mm8mm可选

DIP深度测试:附件适用于镜面平整的样品


     设备需求:

尺寸:150 X 86 X 125 cm(长 X X 高)

重量:350 Kg

电源:230V +/-10%的单相电,频率为50/60Hz

环境:湿度:20~80%; 温度:18~24℃(±2℃)

氩气(等离子体):纯度>99.999%,压力4 bar

氮气(吹扫光谱室):纯度>99.995%,流速3L/min

压缩空气压力:6 bar

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