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可饱和吸收镜

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  • 更新时间2023-03-28
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北京海科思锐光电仪器有限公司专注于光电领域的国外产品代理,为客户提供专业的全套实验室解决方案以及引进的技术和光电领域的产品。产品包括各类激光器、光学测量设备、精密光学元件等,所涉足的领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、航空航天、激光加工等相关领域。除了拥有一批专业经验的销售工程师之外,还拥有一支强大的技术支持队伍。我们的技术支持团队可以为客户提供完整的设备安装,培训,软硬件开发,系统集成等工作,并针对客户的应用要求提供专业的解决方案。“品质源于专业,专业创造价值”我们坚持以的产品,专业的解决方案和完善快捷的优质服务,立足于光电领域,与广大客户和合作伙伴携手合作,共创辉煌。
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德国Batop公司是一家专门生长半导体可饱和吸收体等半导体光电器件公司
可饱和吸收镜 产品详情

德国Batop公司是一家专门生长半导体可饱和吸收体等半导体光电器件公司。产品包括:SESAM半导体可饱和吸收镜,RSAM共振可饱和吸收镜,SOC可饱和吸收耦合输出镜,SLD超发光二极管,光电导天线和时域光谱仪。其中SESAM,RSAM和SOC是用于稳定、自启动DPSS被动锁模激光器的锁模元件。



型号命名规则:镜子型号(SAM/RSAM/SOC/SA/FS-SANOS)-λ-A-τ-x

• 镜子型号 – SAM:半导体可饱和吸收镜;RSAM:共振可饱和吸收镜;SOC:可饱和吸收耦合输出镜;SA:可饱和吸收体;FS-SANOS:可饱和体噪声去除腔;

• λ – 中心波长

• A – 饱和吸收率

• τ – 弛豫时间

• x – 封装类型

 

可选封装类型

定义:

x = 4.0-0

x = 1.0b-0

x = 1.3b-0

x = 4.0-12.7g-c / e

x = 4.0-12.7s-c / e

x = 4.0-25.0g-c / e

x = 4.0-25.0s-c / e

x = 4.0-25.4g-c / e

x = 4.0-25.4s-c / e

x = 4.0-25.0w-c / e

x = 4.0-25.0h-c / e

x = FC/(A)PC-SMF

x = FC/(A)PC-PMF

4.0:芯片面积4.0 mm x   4.0 mm

1.0b:四个面积为1.0 mm   x 1.0 mm的芯片组

1.3b:四个面积为1.3 mm   x 1.3 mm的芯片组

0:未封装的裸芯片

12.7/25.0/25.4:镀金铜柱底座的直径(mm)

g:粘在镀金铜柱上

s:焊在镀金铜柱上

w:焊在水冷镀金铜柱上

h:薄膜焊在水冷镀金铜柱上,适合大功率应用

c:中心封装

e:边缘封装

FC/(A)PC-SMF:安装在1   m 长的单模光纤一端。

FC/(A)PC-PMF:安装在1   m 长的保偏光纤一端。

 

 

一、半导体可饱和吸收镜SESAM

                                               

可饱和吸收镜 (SAM)是一个非线性反射镜。反射率随着脉冲能量的增加而增加。使用可饱和吸收镜,可以实现具有非常稳定的脉冲重复率的主动、被动锁模二极管泵浦激光器。

用于固态和光纤激光器的 SAM 可提供从 800 nm 到 3 µm 波长的宽光谱区域。

也可以使用 SAM 作为非线性光学器件来实现 Q 开关微芯片激光器。

 

波长范围

中心波长

饱和吸收率A0

弛豫时间τ

790 - 830 nm

800 nm

1% -32 %可选

1ps, 5ps

910 - 990 nm

920 nm

20% - 45 %可选

0.5, 1, 3ps可选

940 nm

4% - 68 %可选

1, 2ps可选

980 nm

3% -70 %可选

0.5, 1ps可选

1020 - 1150 nm

1040 nm

1% -65 %可选

0.5 - 35ps可选

1064 nm

0.7% - 70%可选

0.5 - 240ps可选

1100 nm

30% - 90%可选

500fs

1110 - 1320 nm

1150 nm

3% - 32%可选

0.5, 1ps可选

1300 nm

4% - 12%可选

10ps

1320 - 1460 nm

1340 nm

1% - 15%可选

1ps

1420 nm

1%, 4%可选

10ps

1470 - 1660 nm

1510 nm

4% - 23%可选

2, 10ps

1550 nm

3% - 55%可选

1,5 - 18ps可选

1645 nm

2% - 50%可选

2ps

1900 - 2600 nm

1920 nm

2% - 36%可选

2ps

1960 nm

3% - 54%可选

10ps

2000 nm

2% - 50%可选

10ps

2400 nm

1%, 1.5%可选

10ps

2700 - 3200 nm

2800 nm

14%, 24%, 34%可选

10ps

3000 nm

9%, 33%可选

10ps

 

命名规则:SAM-λ-A-τ-x

例:SAM-800-1-5ps-4.0-12.7s-c

描述:半导体可饱和吸收镜,中心波长800nm,饱和吸收率1%,弛豫时间5ps,芯片面积4.0 mm x 4.0 mm,焊在直径为12.7mm的镀金铜柱中心。

 

 

二、共振可饱和吸收镜RSAM

共振可饱和吸收镜 (RSAM) 是一种非线性光学器件,与可饱和吸收镜 (SAM) 类似,但具有更大的可饱和吸收、更小的带宽和更低的饱和注量。对像噪声这样的弱光信号具有非常低的反射率,而对像光脉冲这样的高功率信号具有高反射率。光脉冲使 RSAM 谐振腔内的吸收材料饱和。由于吸收材料的恢复时间短,RSAM在反射脉冲后立即阻断光学噪声层。

RSAM可用于光学噪声抑制以及光光波长转换。

 

波长范围

中心波长

饱和吸收率A0

弛豫时间τ

饱和通量Φsat

975 - 984nm

980nm

99%

1ps

15 µJ/cm2

1030nm

1030nm

≥99%

1ps

50 µJ/cm2

1056 - 1064

1064nm

≥99%

32ps

30 µJ/cm2

1050 - 1064

1064nm

99%

9ps

15 µJ/cm2

1550nm

1550nm

98%

10ps

15 µJ/cm2

1560nm

1560nm

95%

100ps

20 µJ/cm2

 

命名规则:RSAM-λ-τ-x

例:RSAM-980-1ps-4.0-25.0g-e

描述:共振可饱和吸收镜,中心波长980nm,弛豫时间1ps,芯片面积4.0 mm x 4.0 mm,粘在直径为25.0mm的镀金铜柱边缘。

 

 

三、可饱和吸收耦合输出镜SOC

可饱和吸收耦合输出镜SOC由一个部分反射镜和一个可饱和吸收器组成。反射镜和吸收体的单晶层生长在未掺杂的 GaAs 晶片上。SOC可以用于自启动、被动锁模二极管泵浦固态激光器。在使用 SOC 而不是 SAM 进行被动锁模的情况下,可以通过激光腔的二向色镜提供光泵功率。

 

中心波长

饱和吸收率A0

饱和透过率T

弛豫时间τ

1030nm

0.5%

3 %

1ps

1040nm

2% - 24%可选

0.5% - 19%可选

1ps, 15ps可选

1064nm

1% - 22%可选

0.3% - 23%可选

1, 15, 17, 20ps可选

2000nm

26%, 40%可选

19%, 20%, 28%可选

10ps

 

命名规则:SOC-λ-A-T-τ-x

例:SOC-1040-3-4-1ps- 5.0-25.4g

描述:可饱和吸收耦合输出镜,中心波长1040nm,饱和吸收率3%,饱和透过率4%,弛豫时间5ps,芯片面积5.0 mm x 5.0 mm,粘在直径为 25.4 mm的镀金铜柱上。

 

 

四、可饱和吸收体SA

 

可饱和吸收体SA 由半绝缘(透明)GaAs 晶片上的可饱和吸收层组成。SA的两面都镀有针对激光波长的抗反射 (AR) 涂层。SA是非线性吸收器,透射率随着脉冲能量的增加而增加。SA的典型饱和通量高于SAM,散热效率低于 SAM。

可饱和吸收体 (SA)可实现非常稳定的自启动、被动锁模激光器。主要用于1030 nm - 2800 nm光纤激光器锁模。SA也可用于环形激光器。

 

波长范围

中心波长

饱和吸收率A0

弛豫时间τ

980 - 1040 nm

1020 nm

40 %

500fs

1000 - 1040 nm

1030 nm

34 %

3ps

1000 - 1100nm

1064nm

14 %,

28ps

1050 - 1090nm

1064nm

25 %

500fs

1000 - 1100nm

1064nm

26%

37ps

1030 - 1090nm

1064nm

40 %

500fs

1340nm

1340

22%,

20ps

1550nm

1550

6%,

20ps

1400 - 1600nm

1550nm

35 - 58%

2ps

1900 – 2100nm

2000nm

1%

10ps

1800 – 2200nm

2000nm

25%, 43%

10ps

2500 – 3000nm

2800nm

10%

10ps

 

命名规则:SA-λ-A-τ-x

例:SA-1030-34-3ps-5.0-25.4g-e

描述:可饱和吸收体,中心波长1030nm,饱和吸收率34%,弛豫时间3ps,芯片面积5.0 mm x 5.0 mm,粘在直径为 25.4 mm的镀金铜柱边缘。

 

 

五、可饱和体噪声去除腔SANOS

Free space SANOS(FS-SANOS):

 

Fiber coupled SANOS (FC-SANOS):

 

SANOS 的中心元件是一个共振振可饱和吸收镜 (RSAM)。利用RSAM对弱的噪声信号具有低反射率,对强的输出光信号具有高反射率的特点起到噪声去除的作用。SANOS有自由空间和光纤耦合两种封装形式。

SANOS主要用于光学噪声抑制,例如在放大器或脉冲选择器之后。注意其噪声抑制只能在共振波长处进行。

 

型号

中心波长nm

弛豫时间τ

损耗dB

噪声去除率dB

FS-SANOS-1064-9ps-1

1064nm

9ps

3dB

12dB

FS-SANOS-1064-9ps-2

1064nm

9ps

6dB

20dB

FC-SANOS-15XX-x

1530-1560nm

5ps

3dB

10dB

FC-SANOS-15XX-x-TEC

1530-1560nm

5ps

3dB

10dB

注:-1: 配备了一块饱和吸收体,-2:配备了2块饱和吸收体,-TEC:把饱和吸收体附在TEC制冷片上

 

 


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