高温氧化炉

高温氧化炉   

扩散炉应用于大规模集成电路、电力电子器件、光电子器件、半导体器件、光导纤维及太阳能电池等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺，可用于3-12英寸工艺尺寸。

主要技术指标：

炉管数：1～4管

配工艺管口径：Φ90～360 mm (3～12英寸)

恒温区长度： 760～1000 mm±1.0℃ (300～800℃)  760～1000 mm±0.5℃(800～1280℃)

单点稳定性： ±1.0℃/24h (300～800℃)    ±0.5℃/24h (800～1280℃)

气源路数：    ≤7路，可配恒温源瓶、氢氧合成点火器

气体控制：    浮子/质量流量计

悬臂舟参数：速度：    20～1000 mm/min    

        行程：2000 mm    

        定位精度：±1 mm    

        载荷：17 Kg

超净工作台： 净化等级：100级（万级厂房）

噪音：    ≤62dB（A）

振动：    ≤3μm

设备特点：单元组合方式。根据工艺的不同，可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。  

晨立高温氧化炉设备,技术和质量已达国际水平,受到半导体设备制造企业和半导体行业高度关注.可替代国外同规格产品满足不同工艺的要求。