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S200B 数字源表如何表征光电探测器光电性能?

参考价订货量

1000

≥1台

具体成交价以合同协议为准
  • 型号S200B
  • 品牌普赛斯仪表
  • 所在地武汉市
  • 更新时间2024-01-02
  • 厂商性质生产厂家
  • 入驻年限3
  • 实名认证已认证
  • 产品数量440
  • 人气值78693
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      武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

      基于普赛斯电子领X的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

      普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭先的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨投和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的L跑者迈进。







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产地国产 加工定制
光电二极管也被称为光电探测器、光电传感器或光探测器,常见的有光电二极管(PIN)、雪崩光电二极管(APD)、单光子雪崩二极管(SPAD)、硅光电倍增管(SiPM/MPPC)。数字源表如何表征光电探测器光电性能?认准普赛斯仪表
数字源表如何表征光电探测器光电性能? 产品详情

光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件,在p(正)和n (负)层之间,存在一个本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。光电二极管也被称为光电探测器、光电传感器或光探测器,常见的有光电二极管(PIN)、雪崩光电二极管(APD)、单光子雪崩二极管(SPAD)、硅光电倍增管(SiPM/MPPC)。


数字源表如何表征光电探测器光电性能?

  光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件,在p(正)和n(负)层之间,存在一个本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。光电二极管也被称为光电探测器、光电传感器或光探测器,常见的有光电二极管(PIN)、雪崩光电二极管(APD)、单光子雪崩二极管(SPAD)、硅光电倍增管(SiPM/MPPC)。


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图:探测器的分类


  光电二极管(PIN)也称PIN结二极管,在光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的I型半导体,就可以增大耗尽区的宽度,达到减小扩散运动的影响,提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低,近乎本征(Intrinsic)半导体,故称l层,因此这种结构成为PIN光电二极管;


  雪崩光电二极管(APD)是一种具有内部增益的光电二极管,其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后(在硅材料中一般为100-200V),利用电离碰撞(雪崩击穿)效应,可在APD中获得一个大约100的内部电流增益;


  单光子雪崩二极管(SPAD)是一种具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极管,工作在盖革模式下的APD(Avalanche    Photon Diode)。应用于拉曼光谱、正电子发射断层扫描和荧光寿命成像等领域;


  硅光电倍增管(SiPM)是一种由工作于雪崩击穿电压之上和具有雪崩猝灭机制的雪崩光电二极管阵列并联构成的,具有较好的光子数分辨和单光子探测灵敏度的硅基弱光探测器,具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。


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图:光电二极管(PIN)、雪崩光电二极管(APD)、单光子雪崩二极管(SPAD)、硅光电倍增管(SiPM/MPPC)


  PIN光电二极管没有倍增效果,常常应用在短距离的探测领域。APD雪崩光电二极管技术较为成熟,是使用Z为广泛的光电探测器件。目前APD的典型增益是10-100倍,在进行远距离测试时需大幅提高光源光强才能确保APD有信号。SPAD单光子雪崩二极管和SiPM/MPPC硅光电倍增管主要是为了解决增益能力和大尺寸阵列的实现而存在:

  1)SPAD或者SiPM/MPPC是工作在盖革模式下的APD,可以获得几十倍到几千倍的增益,但系统成本与电路成本均较高;

  2)SiPM/MPPC是多个SPAD的阵列形式,可通过多个SPAD获得更高的可探测范围以及配合阵列光源使用,更容易集成CMOS技术,具备规模量产的成本优势。此外,由于SiPM工作电压大多低于30V,不需要高压系统,易于与主流电子系统集成,内部的增益也使SiPM对后端读出电路的要求更简单。目前,SiPM广泛应用于医疗仪器、激光探测与测量(LiDAR)、精密分析、辐射监测、安全检测等领域,随着SiPM的不断发展将拓展至更多的领域。


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表:SiPM/MPPC、SPAD、APD、PIN-PD探测器参数对比


光电探测器光电测试

  光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成Z终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关注暗电流、反向击穿电压、结电容、响应度、串扰等参数。


利用数字源表进行光电探测器光电性能表征

  实施光电性能参数表征分析的Z佳工具之一是数字源表(SMU)。数字源表作为独立的电压源或电流源,可输出恒压、恒流、或者脉冲信号,还可以当作表,进行电压或者电流测量;支持Trig触发,可实现多台仪表联动工作;针对光电探测器单个样品测试以及多样品验证测试,可直接通过单台数字源表、多台数字源表或插卡式源表搭建完整的测试方案。


 数字源表如何表征光电探测器光电性能?认准生产厂家武汉普赛斯仪表,武汉普赛斯一直专注于半导体的电性能测试仪表开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,帅先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、窄脉冲源表、集成插卡式源表等产品,广泛应用在半导体器件材料的分析测试领域。能够根据用户的需求搭配出高效、具价比的半导体测试方案。


扫描曲线图有水印.jpg



  


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