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仪表网>产品库>专用仪表>其它行业>电子/半导体检测仪器>植球 Wafer bump Bonder
  • 植球  Wafer bump Bonder

植球 Wafer bump Bonder

参考价
面议
具体成交价以合同协议为准
  • 型号
  • 品牌
  • 所在地上海
  • 更新时间2023-10-12
  • 厂商性质代理商
  • 入驻年限1
  • 实名认证已认证
  • 产品数量640
  • 人气值1664
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总部设于上海,系专业化、集成化的电子制造行业综合服务性企业。公司致力于引进国外制造设备、精密检测仪器、*生产材料,服务于国内电子制造行业,以助于国内企业提高产品品质,由制造型向创造型企业迈进。公司依托于中国国内电子制造业的高速发展,产品已涉及消费电子制造、汽车电子、半导体、LED以及光伏太阳能等行业领域,已在市场中建立起良好的信誉和广泛的商业资源。近年来,随着市场的日渐成熟和业务的不断发展,公司的业务已经遍布中国大陆以及港台市场,并形成较为完善的销售网络,深得广大电子产品制造商的青睐。本公司将紧跟信息时代的发展步伐,充分利用自身优势,不断提升自身的服务理念,致力于为客户提供更专业化、系统化的技术支持与服务,进一步建立稳固的销售网络,从而将公司发展成为中国电子行业发展的企业。 

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植球 Wafer bump Bonder
植球 Wafer bump Bonder 产品详情

Wafer Bump Bonder特点: 


High-speed bonding of 30 ms/bump based on Wire Bonder model UTC-5000

Capable of handling up to 6-inch wafers by incorporating wafer rotary stage

※8-inch wafer handling capability (1 wafer stage) scheduled to be developed

Equipped with Two wafer stages with temperature up/down control function,

 reducing wafer changeover time and increasing productivity

Capable of stable 45 μm pad pitch bonding with low vibration, 

high-speed drive using Shinkawa NRS technology

Automatic correction of capillary tip position by Shinkawa RPS technology, 

enabling high accuracy bond placement and reducing work for capillary change

Automatic free air ball monitor function (FAM) measuring free air ball size

Multiple choices for surface contact detection at bonding, with "Force detection mode" to detect change 

in force in real time as well as conventional "Positional detection mode," enabling stable bonding quality



Wafer Bump Bonder规格参数: 


Product Name

Bump Bonder

Model

SBB-5200

Bonding Accuracy

±2.5 μm(3σ)Using Shinkawa standard device

Correction of Bonding Position

System to check and correct capillary offset prior to bonding through Shinkawa RPS

Bonding Speed

30 ms/ bump (without reverse)  Using Shinkawa standard device

Bonding Wire Length

8 mm maximum (Varies depending on device conditions)

Resolution

XY-table: 0.1 μm  Z-axis: 0.1 μm

Vibration Control

Shinkawa NRS - Non Reaction Servo System

Bonding Area

Maximum φ150 mm (6-inch wafer)

Wire Size

Au φ15–32 μm

Bonding ForceMaximum 4.9 N
No. of Bonding Bumps

30,000 bumps maximum

Wafer Stage

2 wafer stages for 6-inch wafers 

※with temperature up/down control function

Wafer Size

Size:Maximum 6 inches 

(Conversion parts are required when wafer size changes.)

Thickness:0.15–0.6 mm

(Conversion parts may be required when wafer thickness changes.)

Production Management

Management of equipment availability through production management monitoring screen

Options Available

Automatic wafer loader for 6-inch wafer (Under development)

Utilities

Input Power Supply:Single Phase 100 VAC (±5% input variation)  

50/60Hz (other voltage requires transformer)

Power Consumption:Approx. 1.1kVA

CDA:500kPa (5 kgf/cm2) 100L/min

Vacuum:-74kPa or below (-550 mmHg) (gauge)

Physical Dimensions and Mass

1,000W × 1,088D × 2,087H mm  Approx.500 kg


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