专门为电子束敏感样品和需**300万倍稳定观察的*半导体器件,高分辨成像所设计。
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
0.4 nm / 30 kV (SE)
1.2 nm / 1 kV (SE)
0.34 nm / 30 kV (STEM)
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。