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PMST-3500V 半导体器件功率分析仪

参考价订货量

1000

≥1台

具体成交价以合同协议为准
  • 型号PMST-3500V
  • 品牌普赛斯仪表
  • 所在地武汉市
  • 更新时间2024-08-06
  • 厂商性质生产厂家
  • 入驻年限3
  • 实名认证已认证
  • 产品数量429
  • 人气值75881
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      武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

      基于普赛斯电子领X的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

      普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭先的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨投和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的L跑者迈进。







点击展示更多内容
产地国产 加工定制 集电极-发射极最大电压3500V
最大电流6000A 漏电流测试范围1nA~100mA
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于广泛应用于半导体测试行业; 本功率器件静态参数测试系统可以完成多项参数测试,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等;半导体器件功率分析仪就找普赛斯仪表
半导体器件功率分析仪 产品详情

半导体器件功率分析仪特点和优势:


单台Z大3500V输出;


单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;


15us的超快电流上升沿;


同步测量;


国标全指标的自动化测试;


可定制夹具;


纳安电流和uΩ级电阻测量;

半导体器件功率分析仪

测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供

整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。


普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对半导体器件功率分析仪感兴趣,欢迎随时联系我们

半导体器件功率分析仪




关键词:仪表
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