普赛斯wat半导体参数测试解决方案
PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计、精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一款能够提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有优秀的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。
针对用户不同测试场景的使用需求，普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数产线半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数产线全自动化测试系统三款功率器件静态参数测试系统。
从实验室到小批量、大批量产线的全覆盖
从Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆盖
从晶圆、芯片、器件、模块到IPM的全覆盖
wat半导体参数测试设备特点
1、高电压、大电流
具有高电压测量/输出能力，电压高达3500V（蕞大可扩展至10kV）
具有大电流测量/输出能力，电流高达6000A（多模块并联）
2、高精度测量
纳安级漏电流，μΩ级导通电阻
0.1％精度测量
四线制测试
3、模块化配置
可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元
系统预留升级空间，后期可添加或升级测量单元
4、测试效率高
内置专用开关矩阵，根据测试项目自动切换电路与测量单元
支持国标全指标的一键测试
5、软件功能丰富
上位机自带器件标准参数测试项目模板，可直接调取使用
支持曲线绘制
自动保存测试数据，并支持EXCEL格式导出
开放的标准SCPI指令集，可与第三方系统集成
6、扩展性好
支持常温及低温、高温测试
可灵活定制各种夹具
可与探针台，温箱等第三方设备联动使用
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
测试夹具
针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供
整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对wat半导体参数测试设备感兴趣，欢迎随时联系我们
