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PMST-3500V 大功率分立器件半自动测试仪

参考价订货量

10000

≥1台

具体成交价以合同协议为准
  • 型号PMST-3500V
  • 品牌普赛斯仪表
  • 所在地武汉市
  • 更新时间2024-11-29
  • 厂商性质生产厂家
  • 入驻年限3
  • 实名认证已认证
  • 产品数量472
  • 人气值95147
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      武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

      基于普赛斯电子领X的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

      普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭先的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨投和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的L跑者迈进。







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产地国产 加工定制
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对大功率分立器件半自动测试仪感兴趣,欢迎随时联系我们
大功率分立器件半自动测试仪 产品详情

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的最佳工具之一是大功率分立器件半自动测试仪,普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,皮安电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

大功率分立器件半自动测试仪

系统特点和优势:
 
单台Z大3500V输出;
 
单台Z大1000A输出,可并联后Z大6000A;
 
15us的超快电流上升沿;
 
同步测量;
 
国标全指标的自动化测试;

系统指标

项目

参数

集电极-发射极

Z大电压.

3500V

Z大电流

6000A

精度

0.10%

大电压上升沿

典型值5ms

大电流上升沿

典型值15us

大电流脉宽

50us~500us

漏电流测试量程

1nA~100mA

栅极-发射极

Z大电压

300V

Z大电流

1A(直流)/10A(脉冲)

精度

0.05%

Z小电压分辨率

30uV

Z小电流分辨率

10pA

电容测试

典型精度

0.5%

频率范围

10Hz~1MHz

电容值范围

0.01pF~9.9999F

温控

范围

25℃~150℃

精度

±1℃






测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
 
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
 
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
 
输入电容、输出电容、反向传输电容                      

续流二极管压降Vf
 
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
 

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯大功率分立器件半自动测试仪感兴趣,欢迎随时联系我们

大功率分立器件半自动测试仪


关键词:仪表
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