功率半导体静态参数测试设备简介
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。
系统组成
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试夹具、工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与热流仪、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。
测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至皮安级漏电流；集电极-发射极，蕞大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；蕞高支持3500V电压输出，蕞高扩展到12kV，且自带漏电流测量功能。系统标配C-V测试功能，支持Ciss/Coss/Crss参数及曲线测试，频率默认1MHz，可扩展至10MHz
系统特点
高电压：支持高达3.5KV高电压测试（蕞大扩展至12kV）；
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；
系统参数
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | 蕞大电压 | 3500V(可拓展至12KV) |
最大电流 | 1000A(可拓展至6000A) | |
准确度 | ±0.1% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15μs | |
大电流脉宽 | 50μs~500μs | |
漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | 蕞大电压 | 300V |
蕞大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
准确度 | ±0.05% | |
最小电压分辨率 | 30μV | |
最小电流分辨率 | 10pA | |
电容测试 | 典型精度 | ±0.5% |
频率范围 | 10Hz~1MHz | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
温控 | 范围 | 25℃~200℃ |
准确度 | ±2℃ | |
测试项目
二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO
