K650X 溅射镀膜仪

K650X溅射镀膜仪(三靶大样品室)  这种三头靶面系统特别适用于半导体晶片工业。      本系统使用磁电管靶，在使用低电压时提高了效率，并且能得到非常精细的颗粒，由于是冷溅射，所以无需冷却靶面或样品台。      仪器装有60mm直径、0.1mm厚的金靶（或用户选择），提供的性能价格比。      功能集中在仪器面板上及即插即用电子学设计，zui大的“up-time”，这些用户友好设计满足了不同学科的用户需求。      溅射参数可被预先设置，包括气体放气针阀，此阀为电磁阀，具有自动控制，可精确及重复膜厚沉积。      溅射头互锁，系统可容易选配K250镀碳附件。      本仪器为全自动操作，可控制独立的真空泵。  K650T Turbo Unit与上面相同，但具有涡轮分子泵，抽速60升/秒具有更高及清洁的真空。  特点  ·三个靶面溅射系统  ·全自动控制  ·低电压溅射  ·高分辨率精细涂层(金颗粒可达2 nm)  ·具有倾斜装置的特殊旋转台  ·均匀厚度沉积(扫描电镜一般厚度为 20nm 或200埃)  ·225 mm(6英寸)腔室直径  ·可接膜厚监视器，实时监视镀层厚度  优点  ·适合大样品，如晶圆  ·易操作  ·无需冷却样品台  ·精确的再次涂层  ·适合各种样品  ·膜厚度重复性好  ·容易装载或卸载大样品—zui大到6"晶圆  ·可预设沉积厚度  性能指标  1.仪器尺寸：450mm W x 350mm D x 175mm H  2.工作腔室：硼硅酸盐玻璃 225mm Dia x 125mm H  3.基座： 110 mm直径x 115mm高  4.安全钟罩：聚碳酸酯  5.重量：24公斤  6.靶：3 x 60 mm 直径 x 0.1mm 厚(金作为标准靶面)  7.旋转台：直径为155 mm，可调节  8.样品台：距离靶面40到50 mm  9.真空范围：ATM-1x10-2 mbar  10.沉积电流范围：0-100mA  11.沉积速率：0-20nm/分  12.溅射时间： 0-4 分钟  13.预设置针阀：控制氩  14.电源：230 伏 50Hz    (8amp max. including Pump)