采用A-B 1756-OA8E技术实时调试能量
TI的新型EnergyTrace++技术是*个能使开发人员为每个外设实时分析功耗(电流分辨率低至5nA)的调试系统。这使工程师能控制自己的功耗预算并优化软件,竭尽所能创造出能耗zui低的产品。这项新技术现在可用于MSP430FR59x和MSP430FR69x MCU产品系列,并配备全新的低成本MSP430FR5969 LaunchPad开发套件。
借助A-B 1756-OA8E的*功能挑战超低功耗
除具有显著的节电优势外,TI的MSP430FR59x/69x FRAM MCU产品系列还具有以下的特性,超出了开发人员的预期:
· 无限的可擦写次数。*的读取/写入速度意味着FRAM MCU比传统非易失性存储器解决方案的擦写循环次数多100亿次以上 — 擦写周期超过了产品生命周期本身。
· 灵活性。FRAM具有*能力,使开发人员摆脱代码和数据存储器之间的传统界限束缚。用户无需再受限于业界标准闪存与RAM的比率或为增加的RAM需求支付额外费用。
· 易用性。FRAM可简化代码开发。由于FRAM无需预先擦除段,并可基于比特级被存取,使恒定的即时数据记录成为可能。无线固件更新复杂程度降低,速度加快且能耗减少。
TI超低功耗FRAM MCU产品组合的特性与优势
· A-B 1756-OA8E是*的非易失性嵌入式存储器,可在电流低于800μA的情况下以8Mbps的速率被写入 — 比闪存快100倍以上。
· 借助引脚对引脚兼容性和可扩展的产品组合(由TI超低功耗MSP430™ MCU FRAM产品平台内32KB至128KB的器件组成),使开发工作变得更轻松。
· 借助MSP430 FRAM和闪存组合之间的代码和外设兼容性,利用MSP430Ware™来简化迁移。
· 可取代EEPROM,旨在设计出写入速度更快、功耗更低且内存可靠性更高的安全产品。
· 256位的AES加速器使TI的FRAM MCU能确保数据传输。
· A-B 1756-OA8E适合开发人员使用的丰富资源包括详细的迁移指南和应用手册,以简化从现有硅芯片到MSP430FR59x/69x MCU的迁移。
入门
开发人员可通过涵盖面齐全的培训计划(包含针对超低功耗平台各个方面的在线培训和现场培训环节)开始使用TI的FRAM MCU产品组合。一系列深入细致的教程视频将帮开发人员快速启动设计并在设计周期的任何阶段采用EnergyTrace++技术和开发工具对TI的FRAM MCU进行故障排除。
供货情况
MSP430FR59x MCU可批量供货。MSP430FR69x MCU现已开始提供样片,并将在2014年第3季度用于正式批量生产。MSP-EXP430FR5969 LaunchPad与Sharp® 96 Memory LCD BoosterPack捆绑销售。此外,MSP-FET也已开始供货。
创新是A-B 1756-OA8E的核心
自从开创的工艺技术并添加*的系统架构、知识产权和实际系统的专业技术以来,TI 20余年如一日,通过超低功耗MSP430 MCU、实时控制C2000™ MCU、TM4x ARM® MCU与Hercules™安全MCU MCU不断进行创新。设计人员可通过TI的工具生态系统、软件、无线连接解决方案、多种设计网络产品(Design Network)和来加速产品上市进程。
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