特性:
1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 宽频段(UVA+UVB+UVC)
3. 有效探测区域0.2mm2(SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm2,可探测非常弱的辐射)
4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约2600nA电流(10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS约140nA)
5. 芯片高度稳定性(通过德国PTB认证)
应用领域:
主要用于火焰控制(工业锅炉),水处理( UV强度的保险),UV天文(阵列探测),(紫外线照相机),臭氧和污染物监测,火焰感应(火警安全装置油滴监测),测试太阳光中的紫外线强度(礼品、化妆品用具),紫外线灯管的紫外线发生强度测试(科研或民用消毒碗柜的消毒效率检验)等。