特性:
1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 宽频段(UVA+UVB+UVC)
3. 有效探测区域0.2mm2(SG01M-51LENS敏感区域为11.0mm2,可探测非常弱的辐射)
4. 10mW/cm2峰值辐射照度产生约2600nA电流(10uW/cm2峰值的SG01M-51LENS约140nA)
5. 芯片高度稳定性(通过德国PTB认证)
关于碳化硅材料(SiC):
SiC可承受辐射硬度,近乎*的可见盲区,低暗电流,高速响应和低噪音的*属性;这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的使用材料。SiC探测器可以*工作在高达170℃的温度中,信号(响应率)的温度系数也很低,<0.1%/K。由于(fA级别的暗电流)噪音低,很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量,(需要适当的放大器)。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器,提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。