DM250单、双靶磁控溅射仪 返回列表页

• 概述

磁控溅射是利用磁场束缚电子的运动（即磁控管模式），其结果导至轰击基片的高能电子的减少和轰击靶材的高能离子的增多，使其具备了“低温”、“高速”两大特点。磁控溅射法制备的薄膜厚可控性和重复性好、薄膜与基片的附着能力强，膜层纯度高。

• 主要技术性能指标 
• 系统结构及功能概述

本镀膜系统为圆形真空室结构，后部抽气，正面开门结构，采用优质奥氏体不锈钢制造。溅射沉积室顶板上安装有一只2inch(或3inch)磁控溅射靶，出射束流方向朝向基片架并在基片上得到薄膜。该设备结构简单，可用于研究和开发纳米级单层及多层功能膜，如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、复合膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。

工作原理

溅射沉积系统为一单靶溅射沉积系统，靶固定在真空室顶板上，靶基距可以通过基片架的升降来调节（靶基距60mm～90mm可调）。基片架可升降，采用磁流体密封装置+步进电机驱动，满足基片旋转要求。

A. 真空获得及压力控制

真空获得系统利用涡轮分子泵作为主泵，机械旋片泵作为前级泵对真空系统抽气。真空度控制通过和主泵相连的节流阀来实现。

B．溅射电源

一只500W射频电源（带自动匹配网络），可选直流电源。

系统主要参数

1. 极限真空度：≤6×10^-5Pa（清洁+烘烤去气条件下12小时内获得）；
2. 抽真空时间：20分钟内，≤6×10^-4Pa；
3. 基片加热温度：≤600℃；
4. 基片尺寸：≤Φ3inch的圆片；
5. 基片架数量：1套；
6. 靶材尺寸：直径50mm（可选3inch）；
7. 靶数量：1只或者2个；
8. 真空室尺寸：DN220*340（根据实际情况可能会适当调整）；
1. 基片架移动距离：≤50mm（轴向方向）；
10. 靶轴线和基片旋转轴线夹角：共溅射；
11. 气路系统：2路进气，其中1路为放气使用；