分立器件测试仪MOSFET动态参数测试
用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数
1200V/100A，短路电流2500A
替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300
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♦ 技术规格
| 基础能力 | *大输出能力：电压1200V电流200A *小时间测量值：0.1ns Windows系统的控制计算机水印签字*西安天光测控*水印签字 LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字
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| 物理规格 | 单机尺寸：800×800×1800mm水印签字*西安天光测控*水印签 质 量：165千克 水印签字*西安天光测控*水印签字 系统功耗：200w
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ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元
美军标750
方法为3472 | 脉宽：0.1us~100us步进0.1µs 栅极电压：0~20V，分辨率0.1V 栅极电流*大10A水印签字*西安天光测控*水印签字 漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A） 占空比小于0.1%水印签字*西安天光测控*水印签字 VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V
100 V~1200V分辨率1.0V |
ST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元
美军标750
方法3473 | IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率
50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps VR/反向电压：20~1200V IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。 占空比：＜1.0%水印签字*西安天光测控*水印签字 TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC
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ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元
美军标750，
方法3471 | 栅极电流：0~10mA@10uA分辨率 栅级电压：0~20V@0.1V分辨率 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps |
ST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美军标750，
方法3477 | 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字 电感：0.1mH至159.9mH（外挂） 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps ，1.0V Steps
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ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美军标750，
方法3479 | *大电流：标配200A（选配1000A） 脉宽：1us~100us 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率 漏极电压5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps |
ST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元
JEDEC Std
JESD24-11 | Rg/栅电阻：0.1~100Ω水印签字*西安天光测控*水印签字 结电容参数：Ciss，Coss，Crss 漏极偏置电压：1200V*大 栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率 频率：标配0.1MHZ~1MHZ
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| 电网环境 | AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印签字*西安天光测控*水印签字
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主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数，产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。
资料说明：
MOSFET动态参数测试仪 以ITC57300作为参考标准，西安天光的产品资料中“蓝色字体"为西安天光的减分项（指标低于ITC57300），“红色字体"为西安天光的加分项（指标高于ITC57300），“黑色字体"表示双方指标*。
美国ITC公司
ITC57300 | 西安天光测控技术有限公司
ST-AC1200_X |
| 基础能力 | *大输出能力：电压1200V电流200A *小时间测量值：1.0ns Windows系统的控制计算机 LabVIEW软件界面 水印签字*西安天光测控*水印签字
| | 物理规格 | 高=76英寸 宽=44英寸(包括显示器和键盘) 深=50英寸(包括接收器) 重=550磅
| | ITC57210 | 开关时间（阻性）
测试单元 | 美军标750
方法为3472 | 脉宽：0.1µs~10µs 步进0.1µs 栅极电压±20V分辨率0.1V 栅极电流*大1.0A 漏极电流*大200A 占空比小于0.1% VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V
100 V~1200V分辨率1.0V
水印签字*西安天光测控*水印签字 | | ITC57220 | 反向恢复
特性测试单元 | 美军标750
方法3473 | IF/正向电流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率 分辨率 di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps VR/反向电压：20~1200V IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。 占空比：＜1.0% TRR/反向恢复时间范围：10ns~2.0us VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢复电荷：1nc~100uC 水印签字*西安天光测控*水印签字
| | ITC57230 | 栅电荷
测试单元 | 美军标750
方法3471 | 栅极电流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率
中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率栅电压范围：±20V@±0.1V分辨率 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率 分辨率 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字 | | ITC57240 | 开关时间（感性）
测试单元 | 美军标750
方法3477 | 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率 分辨率 电感：0.1mH至159.9mH 栅极电压：±20V@0.1V分辨率 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps ，1.0V Steps 水印签字*西安天光测控*水印签字
| | ITC57250 | 短路特性
测试单元 | 美军标750
方法3479 | *大电流：1000A 脉宽：1us~100us 栅驱电压：±20V@0.1V分辨率 漏极电压5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字 | | ITC57260 | 栅电阻结电容
测试单元 | JEDEC Std JESD24-11 | Rg/栅电阻：0.1~50mΩ 结电容参数：Ciss，Coss，Crss 漏极偏置电压：1200V*大 栅极偏置电压：±20V 频率：0.1MHZ~4MHZ
| | 电网环境 | 220V 50~60 Hz单相 可选择240V 220V/12A 20A 30A 水印签字*西安天光测控*水印签字
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| | 基础能力 | *大输出能力：电压1200V电流200A *小时间测量值：0.1ns Windows系统的控制计算机 LabVIEW软件界面 水印签字*西安天光测控*水印签字
| | 物理规格 | 单机尺寸：800×800×1800mm 质 量：165kg 系统功耗：200w
| ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元
美军标750
方法为3472 | 脉宽：0.1us~100us步进0.1µs 栅极电压：0~20V，分辨率0.1V 栅极电流*大10A 漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A） 占空比小于0.1% VDD/漏极电压 5V~100 V分辨率0.1V
100 V~1200V分辨率1.0V
水印签字*西安天光测控*水印签字 | ST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元
美军标750
方法3473 | IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率
50~200A@0.5A分辨率di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS 1.0A/ns Steps VR/反向电压：20~1200V IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。 占空比：＜1.0% TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V StepsQrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC 水印签字*西安天光测控*水印签字
| ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元
美军标750，
方法3471 | 栅极电流：0~10mA@10uA分辨率 栅级电压：0~20V@0.1V分辨率 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps | ST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美军标750，
方法3477 | 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率 分辨率 电感：0.1mH至159.9mH（外挂） 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps ，1.0V Steps 水印签字*西安天光测控*水印签字
| ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美军标750，
方法3479 | *大电流：标配200A（选配1000A） 脉宽：1us~100us 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率 漏极电压5V~100V，0.1V Steps
100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字 | ST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元 JEDEC Std JESD24-11 | Rg/栅电阻：0.1~100Ω 结电容参数：Ciss，Coss，Crss 漏极偏置电压：1200V*大 栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率 频率：标配0.1MHZ~1MHZ（¥3W） 0.1MHZ~4MHZ（¥15W）
水印签字*西安天光测控*水印签字
| | 电网环境 | AC220V±10%，50Hz±1Hz。
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其它测试功能（加分项） |
产品系列
晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）
动态参数（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）
热特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件
