详细摘要： IGBT,MOSFET,DIODE,高温栅偏测试设备可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs...
产品型号：ST-HTGB_X所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
西安天光测控技术有限公司
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详细摘要： IGBT,MOSFET,DIODE,高温栅偏测试设备可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs...
产品型号：ST-HTGB_X所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
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产品型号：ST-DC2548所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
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产品型号：ST-AC1200_X所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： 生产线大功率IGBT模块静态参数测试系统ST-（Semiconductor Test）DC（Direct current）1520（1500V2000A）FAT...
产品型号：ST-DC1520_FATL所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
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产品型号：ST-DC2000_DARLINTON所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
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产品型号：ST-DC2000_R所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
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产品型号：ENJ3020所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
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产品型号：ENJ3020所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： 天光测控可测量的MOSFET动态参数测试仪用于MOSFET&IGBT栅极电荷门极电荷Qg参数测试阈值电荷 Qg（th） 1nC~5000nC（支持 0.1nC ...
产品型号：ST-DP_Q（1200V100A）所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： 半导体检测瞬态热阻抗测试仪可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SC 等器件的热特性...
产品型号：ST-Thermal_Zth（ja/jc）所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： 替代ITC57300的IGBT动态参数测试系统用于测试 Diode, IGBTs,MOSFETs等分立器件动态交流参数测试1500V/600A，短路电流2500...
产品型号：ST-DP_X（1500V600A）所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： 直供功率器件综合测试系统应用领域院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车检修等
产品型号：ST-DC2000_X所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： 雪崩能量测试仪itc55100替代产品SiiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量测试仪单脉冲雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ（V...
产品型号：ST-DP_U（1200V200A）所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
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产品型号：ST-DC2000_X所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： ST-DC2000_X半导体管特性图示仪显示半导体器件的各种特性曲线；测量半导体器件的静态参数；能在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数；晶体管双簇显示...
产品型号：ST-DC2000_X所在地：西安市更新时间：2023-11-10 在线留言
详细摘要： 品牌：天光测控晶体管热阻测试系统型号：ST-Thermal-Rth测量范围：4000A/9V测量精度：±0.1%set+0.4%FS测试对象...
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详细摘要： 天光测控IGBT开关特性测试仪ST-DP_X（1200V200A 用于 SiiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT开关时间参数测试，1200V/200A的...
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详细摘要： 测试参数: 二极管、三极管、MOSFET、IGBT等半导体分立器件的栅电阻Rg、输入电容Ciss、输出电容Coss、反馈电容C.测量量程: 100 mΩ~100...
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详细摘要： 用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件级和模块级的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作区测试FBSOA和对应的IV曲线ICE电流0~...
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