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半导体分立器件测试设备
半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)等产品,半导体分立器...
型号: S100
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:31:38
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分立器件测试设备半导体器件测试半导体测试设备分立器件测试分立器件测试仪
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高电流大电压宽禁带材料测试设备
普赛斯高电流大电压宽禁带材料测试设备,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,...
型号: PMST-6000...
所在地:武汉市
参考价:
¥10000更新时间:2024/1/2 8:30:07
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宽禁带材料测试材料测试设备高电流测试大电压测试材料测试平台
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SiC静态参数测试设备6000A
普赛斯SiC静态参数测试设备6000A,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导...
型号: PMST-6000...
所在地:武汉市
参考价:
¥10000更新时间:2024/1/2 8:25:43
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静态参数测试静态测试设备SiC静态测试SiC静态参数第三代半导体测试
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直流3A半导体参数分析仪
直流3A半导体参数分析仪就找普赛斯仪表,S系列源表是普赛斯历时多年打造的高精度、大动态范围、数字触摸的帅先国产化的源表,集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z...
型号: S型
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:24:11
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半导体参数分析参数分析仪半导体参数测试直流参数分析直流分析仪
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半导体特性曲线分析仪
半导体特性曲线分析仪找武汉普赛斯仪表,普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高...
型号: S200B
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:22:09
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半导体特性曲线特性曲线分析仪半导体器件测试仪半导体分析仪特性曲线分析仪
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国产源表IV测试雪崩光电二极管电性能参数
雪崩光电二极管(APD)是一种具有内部增益的光电二极管,其原理类似于光电倍增管。在加上一个较高的反向偏置电压后(在硅材料中一般为100-200V),利用电离碰撞...
型号: S100B
所在地:武汉市
参考价:
¥1000更新时间:2024/1/2 8:20:11
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源表国产源表光电二极管测试二极管电性能测试国产数字源表
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VCSEL激光器测试窄脉冲LIV测试系统
VCSEL激光器测试窄脉冲LIV测试系统认准普赛斯仪表,PL系列脉冲电流源超窄至1us的脉宽,大到30A的脉冲电流,兼容CW和QCW模式,丰富的软件接口,可广泛...
型号: PL201/202
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:18:10
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VCSEL测试激光器测试窄脉冲LIV测试脉冲LIV测试LIV测试系统
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高精度直流大电流源表
普赛斯高精度直流大电流源表标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富、支持二次开发集成,可用于大电流脉冲测试、微弱电流信号测试场景,Z大脉冲输出电流达10A
型号: P100/P200...
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:16:23
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大电流源直流大电流源高精度电流源直流电流源高精度源表
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半导体器件特性曲线扫描仪
半导体器件特性曲线扫描仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表,普赛斯仪表专注于半导体电性能测试领域,基于高精度数字源表综合实验平台,可提供多种实验测量环境,搭配丰富的测试...
型号: S200B
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:13:54
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半导体器件特性测试特性曲线扫描仪半导体器件测试仪半导体扫描仪半导体器件测试
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半导体分立器件测试仪+IV曲线扫描
半导体分立器件测试仪+IV曲线扫描认准武汉普赛斯仪表,普赛斯是国内生产源表的厂家,产品系列丰富:产品覆盖不同的电压、电流范围,产品已经过了市场的考验、市面有近5...
型号: S100B
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:12:22
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分立器件测试仪分立器件IV扫描IV曲线扫描仪半导体器件测试半导体器件扫描
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场效应mos管特性曲线测试国产源表
MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体 器 件,可 以 广 泛 应 用 在 模 拟 电 路 和 数 字 ...
型号: S100
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:09:53
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场效应管测试mos管测试mos管特性曲线场效应管特性曲线国产源表
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高电压大电流igbt测试仪
普赛斯高电压大电流igbt测试仪,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)...
型号: PMST-3500...
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:07:58
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igbt测试仪igbt静态测试仪igbt静态参数静态参数测试
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GaN射频功放IV测试脉冲恒压源
GaN射频功放IV测试脉冲恒压源支持窄脉冲电压输出,并同步完成输出电压及电流测量;主要特点有:脉冲电流大,Z高可至10A;脉冲宽度窄,Z小可低至100ns;支持...
型号: CP502
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:05:57
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脉冲恒压源射频功放IV测试GaN器件IV测试脉冲电压源脉冲电源
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数字源表在半导体霍尔效应测试上的应用
霍尔效应是一种电磁感应现象,当电流垂直于外磁场通过半导体时,载流子发生偏转,垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场,霍尔效应测试中我们一般测试霍尔电压VH、电阻...
型号: S100/S200...
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 8:03:47
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源表霍尔效应测试数字源表霍尔测试数字源表应用
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多表合一数字源表
普赛斯多表合一数字源表标准的SCPI指令集,Y秀的性价比,良好的售后服务与技术支持;普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家,产品已经历3年迭代完善,对标2400、...
型号: S200B
所在地:武汉市
参考价:
¥1000更新时间:2024/1/2 8:02:08
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源表数字源表直流源表多合一源表多合一数字源表
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3500V高压数字源表
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激...
型号: E300
所在地:武汉市
参考价:
¥1000更新时间:2024/1/2 8:00:26
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高压数字源表高压源表高压源数字源表源表
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SMU源表iv测试场效应MOS管方案
MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管 等材料制作,是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、...
型号: S100B
所在地:武汉市
参考价:
¥1000更新时间:2024/1/2 7:58:23
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源表数字源表SMU源表场效应管测试MOS管测试
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国产源表哪家好,认准普赛斯仪表,高新企业
国产源表哪家好,认准普赛斯仪表,高新企业,普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验比备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,半导体测试...
型号: S200B型
所在地:武汉市
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¥1000更新时间:2024/1/2 7:56:37
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源表国产源表普赛斯源表国产数字源表国产源表哪家好
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半导体分立器件静态测试仪
IGBT静态参数主要包含:栅极-发射极阈值电压VGE(th)、栅极-发射极漏电流lGEs、集电极-发射极截止电流lcEs、集电极-发射极饱和电压VcE(sat)...
型号: PMST-3500...
所在地:武汉市
参考价:
¥1000更新时间:2024/1/2 7:52:06
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SiC静态测试GaN静态测试静态参数测试静态测试系统第三代半导体测试
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直流3A高精密电流源
普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验比备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,直流3A高精密电流源半导体测试领域的经典产品!
型号: S100B
所在地:武汉市
参考价:
¥1000更新时间:2024/1/2 7:50:24
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电流源高精密电流源数字源表直流源直流源表