武汉普赛斯仪表有限公司
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  • GaNGaAs高速器件IV测试脉冲恒压源

    CP系列GaNGaAs高速器件IV测试脉冲恒压源是武汉普赛斯仪表推出的窄脉宽、高精度、宽量程插卡式脉冲恒压源。设备支持窄脉冲电压输出,并同步完成输出电压及电流测...

    型号: CP系列 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:48:13 对比
    脉冲恒压源GaN测试GaAs测试高速器件IV测试
  • 半导体功率器件分析仪

    普赛斯半导体功率器件分析仪集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参...

    型号: PMST-3500... 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:45:43 对比
    功率器件分析仪功率器件静态测试功率器件静态参数静态参数测试半导体功率器件分析
  • IGBT耐压测试高压源

    普赛斯仪表推出的IGBT耐压测试高压源10ms级的上升沿和下降沿;单台最大3500V的输出;同步电流测量;

    型号: E300 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:43:29 对比
    IGBT耐压测试IGBT耐压测试高压程控源高压源高压电源
  • 国产新一代S300B数字源表

    普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验比备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,半导体测试领域的经典产品!国产新一代S300B数字源...

    型号: S型 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:41:03 对比
    源表数字源表国产源表国产数字源表国产SMU
  • IGBT击穿电压测试高压源

    普赛斯仪表推出的IGBT击穿电压测试高压源10ms级的上升沿和下降沿;单台最大3500V的输出;同步电流测量;

    型号: E200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:39:25 对比
    IGBT击穿电压击穿电压测试高压程控源高压源高压电源
  • 脉冲大电流源

    HCPL100型脉冲大电流源具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(15uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。

    型号: HCPL100 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:36:56 对比
    大电流源脉冲大电流源脉冲电流源脉冲电流源测高电流源
  • 功率半导体可靠性测试数据采集卡

    功率半导体可靠性测试数据采集卡使用高性能ADC芯片,分辨率可达16bits,最高支持2MS/s采样率。单采集卡支持4通道,且通道间隔离。采集卡可应用于我司3插卡...

    型号: A200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:34:44 对比
    数据采集卡可靠性测试半导体可靠性测试半导体功率循环
  • 纳米材料性能分析高精密源表

    实施电性能参数表征分析的工具之一是数字源表(SMU)。数字源表作为独立的电压源或电流源,可输出恒压、恒流、或者脉冲信号,还可以当作表,进行电压或者电流测量;支持...

    型号: S200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:32:45 对比
    高精密源表源表纳米材料性能分析纳米材料测试
  • 如何用数字源表测试太阳能电池片

    太阳能电池在使用前我们需要对它的一些性能参数做一个测试了解。对于太阳能电池片的测试,我们一般测试电池的开路电压VOC、短路电流ISC、最大功率Pmax、填充因子...

    型号: S200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:30:40 对比
    源表数字源表太阳能电池片测试电池片测试光伏电池片测试
  • SMU数字源表简化气体传感器特性分析

    通常,气体传感器 I-V 特性测试需要几台仪器完成,如数字表、电压源、电流源等。然而,由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析,过程既复杂又...

    型号: S100 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:28:13 对比
    气体传感器特性分析气体传感器特性测试数字源表SMU数字源表源表
  • SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统

    SiC|GaN第三代半导体静态参数测试系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设...

    型号: PMST-3500... 所在地:武汉市参考价: ¥488888更新时间:2024/1/2 7:22:48 对比
    SiC静态测试GaN静态测试静态参数测试静态测试系统第三代半导体测试
  • 光电探测器性能测试SMU源表

    光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成Z终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴...

    型号: S200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:20:30 对比
    SMU源表源表光电探测器性能测试电性能测试
  • 柔性材料I-V测试SMU源表

    普赛斯仪表携手业内之名厂商共同打造的柔性电子材料测试系统,通过组合不同动作的测试夹具,可以模拟扭、转、弯、折、卷等5种基本测试动作,柔性材料I-V测试SMU源表...

    型号: S200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:18:56 对比
    柔性材料I-V测试柔性材料电性能测试柔性材料测试SMU源表源表
  • 3500V隔离电压测试高压源

    3500V隔离电压测试高压源具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3500V,输出...

    型号: E300 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:16:37 对比
    隔离电压测试高压源高压程控电源高电压源高压恒流源
  • 600A QCW泵浦源老化电源

    HCPL系列600A QCW泵浦源老化电源具备CW及QCW输出能力,单设备CW输出电流可高达60A,输出电压可高达100V,可广泛应用于大功率LED的LIV测试...

    型号: HCPL系列 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:14:33 对比
    泵浦源老化电源老化电源激光器老化电源泵浦激光器老化电源
  • 半导体测试源表+SMU源表

    普赛斯仪表专注于半导体电性能测试领域,基于高精度数字源表综合实验平台,可提供多种实验测量环境,搭配丰富的测试夹具及实验器材,满足半导体电性能测试需求,提高测试效...

    型号: S200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:08:58 对比
    源表半导体测试SMU源表数字源表半导体测试源表
  • IGBT击穿电压测试高压电源

    IGBT击穿电压测试高压电源具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在第一象限,输出及测量电压0~3500V,输出...

    型号: E100 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:04:58 对比
    IGBT击穿电压击穿电压测试高压程控源高压源高压电源
  • 瞬变专用电磁脉冲源+高电流脉冲电源

    普赛斯仪表推出的瞬变专用电磁脉冲源+高电流脉冲电源50~500us的脉冲宽度;15us的超快上升沿;同步测量电压;单台最大可达1000A输出;可极性反转;

    型号: HCPL100 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:02:32 对比
    电磁脉冲源脉冲电流源高电流脉冲电源瞬变专用电磁脉冲源高电流源
  • 光伏电池IV性能分析SMU源表

    光伏电池IV性能分析SMU源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表,对太阳能电池进行电流-电压(I-V)特性分析对推导有关其性能的重要参数至关重要,包括Z大电流(Imax...

    型号: CS系列 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/2 7:00:05 对比
    电池IV性能分析SMU源表光伏电池IV测试电池片性能测试电池片性能分析
  • 忆阻器脉冲特性测试数字源表

    忆阻器件的评估,一般包括直流特性、脉冲特性与交流特性测试,分析器件在相应的直流、脉冲与交流作用下的忆阻特性,以及针对忆阻器件的保持力、稳定性等非电学特性进行测量...

    型号: P200 所在地:武汉市参考价: ¥1000更新时间:2024/1/1 21:59:59 对比
    忆阻器脉冲测试脉冲特性测试数字源表源表忆阻器脉冲特性

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