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西安长禾半导体技术有限公司


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MOSEFT动静态测试 万用/多用表

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产品型号

品       牌其他品牌

厂商性质其他

所  在  地西安市

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更新时间:2023-05-14 09:09:20浏览次数:402次

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经营模式:其他

商铺产品:4条

所在地区:陕西西安市

联系人:蒲辰 (市场部经理)

产品简介
产地 国产 加工定制
电压 50-8000V    

西安长禾实验室介绍
西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市*开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的企业,是国家CNAS 认可实验室,属于大功率器件测试服务中心。
长禾实验室拥有的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有*的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服

详细介绍

半导体器件动态参数测试系统

系统概述

IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。

半导体器件动态参数测试系统,该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统,适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。

基础规格

环境温度:2535

相对湿度:小于75%

大气压力:86Kpa~ 106Kpa

电网电压:AC220V±10%无严重谐波

电网频率:50Hz±1Hz

参数/条件


IGBT开通特性测试

IGBT关断特性测试

测试气动夹具

测试参数

开通延迟 tdon

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25125

关断时间tdoff

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25125

压力:

5000PA的品牌空压机供气。

控温范围:

25-200

控温精度:

±1.0±1%

器件接触:

20个探针的接触矩阵

上升时间

tr

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25125

下降时间tf

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25125

开通能量

Eon

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25125

关断能量Eoff

10-1000ns±5%±10ns

Tj=25125

测试条件

集电极电压Vce

50-3500V±5%

根据用户要求定制

集电极电压Vce

50-3500V±5%

根据用户要求定制

集电极电流Ice

50-1500V±5%

根据用户要求定制

集电极电流Ice

50-1500V±5%

根据用户要求定制

负载L

20-1000uH

L负载

20-1000uH

栅极电压Vge

±15V±3%±0.2V



短路测试Sct

一次短路 / 脉宽10uS / 短路电流10KA

二极管反向恢复测试Drr

反向恢复电流 / 反向时间 / 反向di / dt

雪崩耐量测试系统

概述

雪崩耐量测试仪是测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备,能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。该设备包括:可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口(根据客户需求)等多个部分。

规格/环境要求

电压频率:50Hz±1Hz

环境温度:2535

工作湿度:温度不高于+30℃时,相对湿度5%-80%。

温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%,无冷凝。

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

系统功耗:320W

技术指标

配置

测试范围

测试参数

条件

范围

电压

1000V

IGBTs

绝缘栅双极型晶体管

EAS/单脉冲雪崩能量

VCE

20V-4500V

20-100V±3%±1V

100-1000V±3%±5V

1000-4500V±3%±10V

电流

200A

MOSFETs

MOS场效应管

EAR/重复脉冲雪崩能量

Ic

1mA-200A

1mA-100mA±3%±0.1mA

100mA-2A±3%±5mA

2A-200A±3%±50mA


DIODEs

二极管

IAS/单脉冲雪崩电流

Ea

1J-2000J

1J-100J±3%±1J

100J-500J±3%±5J

500J-2000J±3%±10J



PAS/单脉冲雪崩功率

IC检测

50mV/A(取决于传感器)




感性负载

10mH、20mH、40mH、80mH、100mH




重复间隙时间

1-60s可调(步进1s)重复次数:1-50次



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