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| 产地 | 进口 | 加工定制 | 否 |
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SEMILAB发射极薄层电阻测量装置SHR-1000
SEMILAB发射极薄层电阻测量装置SHR-1000
寿命测定装置PV-2000A,寿命测量仪WT-1200,WT-1200B,WT-1200A,4探针薄层电阻测量仪FPP-1000,发射极薄层电阻测量装置SHR-1000,激光椭圆仪LE-103PV
产品介绍
寿命测定装置PV-2000A：可以使用 u-PCD 方法通过非接触式和非破坏性的寿命测量来评估污染和杂质，例如硅和化合物半导体中的铁浓度。可以安装各种头用于开发高效太阳能电池，例如场效应钝化等钝化层评估。
寿命测量装置WT-1200 & WT-1200B ：少数载流子寿命测量装置。u-PCD法可对硅块、硅片进行非接触、无损的寿命测量，并可进行映射显示。通过寿命测量，您可以评估污染和杂质，例如硅和化合物半导体中的铁浓度。
低成本、非接触式硅单点测量
WT-1200 和 WT-1200B 都使用快速、非接触式载流子寿命测量来表征太阳能电池制造过程中每个步骤的硅材料。
WT-1200 可以测量从切割晶圆到成品太阳能电池的晶体。WT-1200B 是块测量的模型。
FPP-1000 是一个独立平台，装有一个传统的 4 点探头。它采用绝对测量方法，不依赖于校准参考值。
SHR-1000 可以替代 4 点探头进行发射层表征，提供快速可靠的非接触式测量。发射极薄层电阻是 PV 应用中硅电池的关键质量控制参数。
发射极薄层电阻测量装置SHR-1000:这是一种非接触式薄层电阻测量装置。用于太阳能电池（单晶、多晶、非晶、有机）的研发。涡流法可以非接触、非破坏性地高精度测量ITO薄膜等透明导电薄膜的薄层电阻。
激光椭圆仪可高精度测量薄膜的膜厚和光学特性（折射率、消光系数）。可以测量绝缘膜、有机膜、金属膜等单层膜和多层膜，还可以评价表面粗糙度层和界面层。即使不了解椭圆偏光测量原理的人也可以毫无问题地使用它。
用于硅太阳能电池的激光椭偏仪。这种创新的微型仪器是为测量在纹理硅（单晶硅和多晶硅）基板上生长的抗反射涂层的厚度和光学常数而开发的。可以轻松优化入射角 (12-90°)，以获得在多晶晶片上生长的薄膜的信号。金字塔结构将样品固定在适当的位置，同时允许其定向以进行精确测量。
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