KRI 射频离子源用于透明导电薄膜及性能研究试验

某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数, 在普通玻璃衬底上制备得到ZnO: Al（ZAO）透明导电薄膜.

试验设备:

伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 进行溅射, 选用 ZAO 陶瓷靶, 基片为普通玻璃, 普发 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

工艺要求:

靶与基片距离为5cm, 溅射时间为30 min

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:

推荐理由:

聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

在整个实验工艺中工作气压保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技术参数如下:

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口品牌的代理商.